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850LT SOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合

參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號EVG

品       牌其他品牌

廠商性質生產商

所  在  地北京市

更新時間:2024-09-25 14:54:29瀏覽次數:777次

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應用領域 電子/電池,航空航天,電氣
EVG®850LT SOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統,自動化生產鍵合系統,適用于多種融合/分子晶圓鍵合應用

EVG®850 LT

Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

EVG®850LT   SOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統

 

自動化生產鍵合系統,適用于多種融合/分子晶圓鍵合應用

 

晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850 LT自動化生產鍵合系統和具有LowTemp™等離子活化的直接晶圓鍵合,融合了熔合的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此,經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300 mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,高產量生產工藝。

 

特征

利用EVG的LowTemp™等離子激活技術進行SOI和直接晶圓鍵合

適用于各種融合/分子晶圓鍵合應用       ;生產系統可在高通量,高產量環境中運行

盒到盒的自動操作(錯誤加載,SMIF或FOUP);         無污染的背面處理

超音速和/或刷子清潔;                    ;   機械平整或缺口對齊的預粘合

先進的遠程診斷技術數據

晶圓直徑(基板尺寸)100-200、150-300毫米

全自動盒帶到盒帶操作

預粘接室

對齊類型:平面到平面或凹口到凹口

對準精度:X和Y:±50 µm,θ:±0.1°

結合力:5 N

鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統:9x10-2 mbar(標準)和9x10-3 mbar(渦輪泵選件)

LowTemp™等離子激活模塊

2種標準工藝氣體:N2和O2,以及2種其他工藝氣體:高純度氣體(99.999%),稀有氣體(Ar,He,Ne等)和合成氣(N2,Ar和H4含量

通用質量流量控制器:多可對4種工藝氣體進行自校準,可對配方進行編程,流速可達到20.000 sccm

真空系統:9x10-2 mbar(標準)和9x10-3 mbar(渦輪泵選件),高頻RF發生器和匹

 

配單元:清潔站;清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選);    腔室:由PP或PFA制成

清潔介質:去離子水(標準),NH4OH和H2O2(大)。 2%濃度(可選)

旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成;

旋轉:3000 rpm(5 s)

清潔臂:多5條介質線(1個超音速系統使用2條線)

可選功能:ISO 3迷你環境(根據ISO 14644);  LowTemp™等離子活化室

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