850 SOI的自動化生產鍵合系統適用于多種融合/分子晶圓鍵合應用。SOI晶片是微電子行業有望生產出更快，性能更高的微電子設備的有希望的新基礎材料。晶圓鍵合技術是SOI晶圓制造工藝的一項關鍵技術，可在絕緣基板上實現高質量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產粘合系統，SOI粘合的所有基本步驟-從清潔和對準到預粘合和紅外檢查-都結合了起來。因此，EVG850確保了高達300 mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產量生產工藝。 EVG850是在高通量，高產量環境下運行的生產系統，已被確立為SOI晶圓市場的行業標準。

850 SOI的自動化生產鍵合系統特征

生產系統可在高通量，高產量環境中運行     

自動盒帶間或FOUP到FOUP操作

無污染的背面處理                      

超音速和/或刷子清潔

機械平整或缺口對齊的預粘合            

先進的遠程診斷

技術數據

晶圓直徑（基板尺寸）：100-200、150-300毫米

對齊類型：平面到平面或凹口到凹口

對準精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°

結合力：高5 N

鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

真空系統：9x10-2 mbar（標準）和9x10-3 mbar（渦輪泵選件）

清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（大）。 2％濃度（可選）

旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉：高3000 rpm（5 s）

清潔臂：多5條介質線（1個超音速系統使用2條線）

可選功能：ISO 3迷你環境（根據ISO 14644）；  LowTemp™等離子活化室