卷對卷PECVD石墨烯制備設(shè)備柔性透明電極連續(xù)生產(chǎn) 參考價：面議
卷對卷PECVD石墨烯制備設(shè)備主要應(yīng)用于計算機(jī)和智能手機(jī)屏幕，超輕、柔性的太陽能電池，以及新型的發(fā)光設(shè)備和其他薄膜電子產(chǎn)品
PECVD鍍膜儀 參考價：面議
CY-PECVD-450化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用于在光學(xué)玻璃、硅...
單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)PECVD石墨烯制備系統(tǒng) 參考價：面議
單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)PECVD，安裝有真空自動投料器，爐管尾部預(yù)留KF40接口可以連接收料罐。投料器采用螺桿進(jìn)料，可以以額定的速率將粉料送入爐管，投料速率可通過調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速來...
卷對卷式PECVD 參考價：面議
卷對卷式PECVD是等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），并加裝了收放卷裝置。本設(shè)備可用于線材的連續(xù)化熱處理工藝中，如碳纖維制備、合金及其他材料線材改性處...
等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng) 參考價：面議
等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、單溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的...
等離子增強(qiáng)型CVD系統(tǒng) 參考價：面議
CY-PECVD50R-1200-Q是一款等離子增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。此系統(tǒng)由150W射頻電源、單溫區(qū)管式爐、3通道質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)、性能優(yōu)異的真空泵組成。
PEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) 參考價：面議
等離子增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）系統(tǒng)是一種的薄膜沉積技術(shù)，結(jié)合了等離子體和原子層沉積（ALD）的優(yōu)點(diǎn)，以實現(xiàn)更高的薄膜質(zhì)量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性...
三溫區(qū)PECVD石墨烯制備 參考價：面議
三溫區(qū)PECVD廣泛用于石墨烯制備，顆粒包覆等科學(xué)實驗上
PECVD氣相沉積 參考價：面議
PECVD氣相沉積在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用
熱陰極直流等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（DCCVD） 參考價：面議
熱陰極直流等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備（DCCVD）是在常規(guī)冷陰極輝光放電基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，主要用于金剛石單晶或多晶膜的沉積生長
PECVD-R?旋轉(zhuǎn)等離子加強(qiáng)CVD設(shè)備 參考價：面議
本產(chǎn)品為PECVD-R?旋轉(zhuǎn)等離子加強(qiáng)CVD設(shè)備。PECVD-R?旋轉(zhuǎn)等離子加強(qiáng)CVD設(shè)備十分適合在氣氛保護(hù)的環(huán)境下連續(xù)對粉末材料用CVD方法進(jìn)行包裹和修飾。
PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度
等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積PECVD 參考價：面議
化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用于在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯...
PE-HPCVD等離子增強(qiáng)物理化學(xué)氣相沉積 參考價：面議
PE-HPCVD等離子增強(qiáng)物理化學(xué)氣相沉積由一臺雙溫區(qū)管式爐，一套鎢絲蒸發(fā)源，一套等離子發(fā)生裝置以及一套質(zhì)量流量計組成。PE-HPCVD等離子增強(qiáng)物理化學(xué)氣相沉...
雙溫區(qū)CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
CVD（化學(xué)氣相沉積）氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術(shù)，通過在高溫下將氣體反應(yīng)物質(zhì)與基底表面反應(yīng)，形成薄膜(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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