目錄:鄭州成越科學儀器有限公司>>PECVD氣相沉積系統>> CY-PECVD100-1200-Q雙溫區CVD化學氣相沉積系統
CVD（化學氣相沉積）氣相沉積系統是一種常用的薄膜制備技術，通過在高溫下將氣體反應物質與基底表面反應，形成薄膜。
1. 反應室溫度：通常在幾百到千度之間，具體取決于所需的反應溫度和材料。
2. 反應氣體：根據所需的薄膜材料和結構，可以使用不同的反應氣體，如氨氣、氫氣、氧氣、二氧化硅等。
3. 壓力范圍：通常在幾百帕到幾千帕之間，具體取決于反應物質和反應條件。
4. 反應時間：根據所需的薄膜厚度和質量，反應時間可以從幾分鐘到幾小時不等。
5. 基底材料：CVD系統可以用于各種基底材料，如硅、玻璃、金屬等。
6. 應用領域：CVD氣相沉積系統廣泛應用于材料科學和工程領域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導體、光電子、能源、生物醫學等領域都有重要應用
| 產品名稱 | 雙溫區CVD化學氣相沉積系統 | |
| 產品型號 | CY-PECVD100-1200-Q | |
| 頻電源 | 信號頻率 | 13.56MHz±0.005% |
| 功率輸出 | 0~300W | |
| *大反射功率 | 100W | |
| 反射功率 | <3W (*大功率時) | |
| 功率穩定性 | ±0.1% | |
| 管式爐 | 管子材質 | 高純石英 |
| 管子外徑 | 100mm | |
| 爐膛長度 | 440mm | |
| 加熱區長度 | 200mm+200mm (雙溫區) | |
| 連續工作溫度 | ≦1100℃ | |
| 溫控精度 | ±1℃ | |
| 溫控模式 | 30段程序控溫 | |
| 顯示模式 | LCD觸摸屏 | |
| 密封方式 | 304 不銹鋼真空法蘭 | |
| 供氣系統 | 通道數 | 6通道 |
| 測量單元 | 質量流量計 | |
| 測量范圍 | A 通道: 0～200SCCM， 氣體為H2 | |
| B 通道: 0～200SCCM，氣體為CH4 | ||
| C 通道: 0～200SCCM，氣體為 C2H4 | ||
| D通道: 0～500SCCM，氣體為 N2 | ||
| E通道: 0～500SCCM，氣體為 NH3 | ||
| F通道: 0～500SCCM， 氣體為 Ar | ||
| 測量精度 | ±1.5%F.S | |
| 工作壓差 | -0.15Mpa~0.15Mpa | |
| 接頭規格 | 1/4" 卡套接頭 | |
| 氣體混合罐 | 1L | |
| 真空系統 | 機械泵 | 雙極旋片泵 |
| 抽速 | 1.1L/S | |
| 真空測量 | 電阻規 | |
| 極限真空 | 0.1Pa | |
| 抽氣接口 | KF16 | |
| 滑軌 | 爐體可以滑動，實現快速降溫 | |
| 供電電源 | AC220V 50Hz | |
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