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上海麥科威半導體技術有限公司
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當前位置:上海麥科威半導體技術有限公司>>微納工藝設備>>鍍膜機CVD>> ALD-150LE™原子層沉積系統

原子層沉積系統

參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號ALD-150LE™

品       牌其他品牌

廠商性質代理商

所  在  地上海市

更新時間:2025-07-26 21:37:11瀏覽次數:61次

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價格區間 100萬-200萬 應用領域 電子/電池,航空航天
Kurt J. Lesker Company (KJLC) ALD150LE™是我們但極其靈活的原子層沉積 (ALD) 系統,專為入門級到中級用戶而設計。該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積,工藝室設計促進了均勻的母離子分散和輸送。加熱和溫度控制進一步增強了系統性能。總體而言,該ALD150LE™在緊湊的設計中提供了的靈活性和性能,而不會犧牲可維護性。

Kurt J. Lesker Company (KJLC) ALD150LE™是我們但極其靈活的原子層沉積 (ALD) 系統,專為入門級到中級用戶而設計。該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積,工藝室設計促進了均勻的母離子分散和輸送。加熱和溫度控制進一步增強了系統性能。總體而言,該ALD150LE™在緊湊的設計中提供了的靈活性和性能,而不會犧牲可維護性。

該ALD150LE™配置為純熱原子層沉積,我們的垂直流設計可實現分離、均勻的前驅體輸送,同時降低背景雜質水平,從而提高薄膜質量。為避免不必要的材料在輸送通道內積聚和顆粒形成,有兩個獨立的腔室入口可用于前驅體分離。例如,可以使用單獨的入口來分離金屬有機前體和共反應物,以防止在輸送管線和閥門中沉積。

  • 兩個獨立的進樣口,用于前驅體輸送,可防止輸送通道中不必要的積聚

  • 開放式裝載室經過精心設計,可最大限度地減少由于密封脫氣和滲透引起的背景雜質

  • 獨立的基板加熱器平臺和外腔殼體,可實現出色的溫度控制和均勻性

  • 304L不銹鋼結構

  • 可訪問、低維護的設計

ALD150LE™開路負載設計允許在樣品引入過程中將基物(直徑最大為 150 mm)直接放置在基板加熱器臺上。在隨后的原子層沉積(ALD)處理過程中,集中式母離子輸送和泵送建立了一個屏障,將下游腔室密封的雜質擋在反應區之外。彈性體腔密封件在下游的戰略定位可使雜質(由于密封件釋氣和滲透)遠離基材表面,從而提高 ALD 薄膜質量。特別是,這是在開放式負載室設計中獲得高質量氮化物膜的一個重要特征。


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