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LEEM是廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)領(lǐng)域的高技術(shù)分析儀器，能集原位觀測、超快及光電子成像于一體，即我們所稱的“長眼睛的超級XPS"，能對薄膜以及二維材料、鋰離子電池、鈣鈦礦太陽能電池材料等的表面電子行為進(jìn)行實(shí)時(shí)激發(fā)、圖像采集及定量分析，此外LEEM還可定量地解析各種薄膜材料在生長過程中所處的能帶狀態(tài)，因而可以對電子材料制備、使用和失效過程進(jìn)行有效的表征，從而揭示電子材料的化學(xué)成分、能帶及其價(jià)態(tài)與性能的作用機(jī)理。LEEM與成像功能和離子濺射刻蝕相結(jié)合，可以用于固體表面元素成分及價(jià)態(tài)的面分布和深度剖析；與離子蒸鍍或其他分子束外延技術(shù)相結(jié)合，可以進(jìn)行原位樣品的制備及分析工作。當(dāng)電子到樣品的著陸能量較低時(shí)，會在樣品表面發(fā)生衍射。對衍射斑點(diǎn)進(jìn)行成像，可以獲得LEED圖像，得知表面晶向結(jié)構(gòu)。同時(shí)可以與光闌配合，調(diào)控電子束在表面的位置與大小，進(jìn)行微區(qū)LEED表征，這樣就不僅可以對樣品表面進(jìn)行實(shí)空間成像，還可以得知樣品各微觀位置的晶向結(jié)構(gòu)。這也是PEEM/LEEM系統(tǒng)一大優(yōu)勢。因此，LEEM在電子薄膜材料、半導(dǎo)體材料、納米材料、能源、催化分析等方面具有不可替代的作用。

配置清單：

技術(shù)參數(shù)：

1、 主分析腔真空≤2×10-10mbar，主分析腔和快速進(jìn)樣腔之間配有過渡腔，留有擴(kuò)展接口，可用于后期與其它設(shè)備互聯(lián)；

2、 *高精度5軸馬達(dá)全自動驅(qū)動樣品臺，XYZ和2個(gè)Tilt方向全部馬達(dá)驅(qū)動

3、 高通量放電汞燈一個(gè)，用于PEEM成像

4、 高溫成像樣品溫度可達(dá)1500K；

5、 *磁偏轉(zhuǎn)棱鏡采用90°偏轉(zhuǎn)，易于光路整體校正；

6、 *冷場發(fā)射電子槍，電子束斑直徑200nm- 40μm，能量分布FWHM ≤0.3 eV；

空間分辨率＜5nm（LEEM模式），＜10nm（PEEM模式）

像差校正：LEEM空間分辨率優(yōu)于3nm

7、 能量分辨率< 250 meV；

8、 樣品位置穩(wěn)定性＜5nm，再現(xiàn)性＜500nm；

9、 軟件能操控能量狹縫位置，可快速實(shí)現(xiàn)能量過濾成像；