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具備三維翹曲（平整度）及薄膜應力的檢測功能，適用于半導體晶圓生產、半導體制程工藝開發、玻璃及陶瓷晶圓生產，尤其具有測量整面翹曲曲率分布的能力。

優勢

?? 全口徑均勻采樣測量，采樣間隔最少可至0.1mm

?? 同時具備翹曲測量及應力測量功能

?? 全直觀展現薄膜導致的晶圓形變，可計算整面應力mapping和任意角度的曲率及應力

?? 全豐富的軟件分析功能，包括：三維翹曲圖、晶圓翹曲參數統計（BOW，WARP等）、ROI分析、薄膜應力及分布、應力隨時間變化、薄膜應力變溫測量、曲率計算、多項式擬合、空間濾波等多種后處理算法。

適用對象

??  2-8 英寸透明、半透明或非透明的拋光晶圓（硅、砷化鎵、鉭酸鋰、玻璃、藍寶石、磷化銦、碳化硅、氮化鎵等材質）、鍵合晶圓、圖形晶圓、方形玻璃等。

?? 可檢測經過薄膜工藝處理后的透明、半透明或非透明表面，薄膜材質包含且不限于：Si、 SiO2、SiN、三氧化二鋁、光刻膠、金屬薄膜、膠黏劑、納米高分子膜、有機/無機雜化膜等。

適用領域

?? 半導體及玻璃晶圓的生產和質量檢查

?? 半導體薄膜工藝的研究與開發

?? 半導體制程和封裝減薄工藝的過程控制和故障分析

測量原理

1. 晶圓制程中會在晶圓表面反復沉積薄膜，基板與薄膜材料特性的差異導致晶圓翹曲，翹曲和薄膜應力會對工藝良率產生重要影響

2. 采用結構光反射成像方法測量晶圓的三維翹曲分布，通過翹曲曲率半徑測量來推算薄膜應力分布，具有非接觸、免機械掃描和高采樣率特點，6英寸晶圓全口徑測量時間低于30s

3. 通過Stoney公式及相關模型計算晶圓應力分布

MKW-3800 技術規格

項目參數

測量對象2英寸-8英寸拋光/圖形晶圓

采樣間隔均勻全口徑采樣，最小采樣間隔0.1mm

測量時間單次測量時間<30s （6英寸晶圓全口徑）

三維翹曲翹曲測量范圍0.5μm-5000μm*

重復性0.2μm或1%精度0.5μm或1.5%

薄膜應力應力測量范圍1 MPa - 10000 MPa

曲率測量范圍0.5m-10000m

曲率半徑重復精度<1% 1σ (@曲率半徑25 m)

薄膜應力重復精度1.5MPa或1%

工作軟件Stress Mapper 軟件：采圖、測量控制及計算分析

軟件功能三維翹曲顯示、晶圓翹曲參數統計（BOW，WARP等）、薄膜應力及分布、時變穩定性分析、多種擬合算法、空間濾波算法等

上海麥科威晶圓翹曲應力測量儀將全口徑翹曲、應力、表面瑕疵等分析整合進入每一次測量，確保我們的客戶能夠快速確認工藝。