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上海麥科威半導體技術有限公司
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MKW-200-直寫光刻機/無掩膜光刻機
  • MKW-200-直寫光刻機/無掩膜光刻機
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貨物所在地:上海上海市

地: 上海

更新時間:2025-04-27 11:08:05

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上海麥科威MKW-200是一個高價值的激光直寫光刻機,面向大學和研究機構尋求擴大他們的能力。

它用亞微米像素分辨率的405nm激光在光敏抗蝕劑涂層表面大面積書寫。你可以寫任何東西,從光掩模到基礎科學或應用科學的研究原型,集成相機可以用來調整現有的功能寫。

我們對其進行了優化,以便于使用和簡單維護,利用現成的部件,而不犧牲書寫質量或功能。

直接激光書寫光刻
  • 詳細介紹

  • 上海麥科威MKW-200是一個高價值的激光直寫光刻機,面向大學和研究機構尋求擴大他們的能力。

    它用亞微米像素分辨率的405nm激光在光敏抗蝕劑涂層表面大面積書寫。你可以寫任何東西,從光掩模到基礎科學或應用科學的研究原型,集成相機可以用來調整現有的功能寫。

    我們對其進行了優化,以便于使用和簡單維護,利用現成的部件,而不犧牲書寫質量或功能。

    直接激光書寫光刻

    直接激光光刻技術通過消除光掩模生產對外部供應商的依賴,大大降低了微流體、微電子、微機械和材料科學研究等領域的成本和執行時間。


    UV-Writer隨其控制軟件在PC上提供。它允許您從GDSII文件的單元格或直接從PNG圖像導入要寫入的設計。

    一切都是通過一個用戶友好的圖形界面來完成的,它允許您在執行之前預覽要編寫的設計。

    除了對每個設計應用旋轉、反射、反轉或比例調整等變換外,還可以在單個過程中組合多個設計。

    在確定了設計方案后,采用了所包含的工作臺控制模塊和共焦顯微鏡。

    使用它們,您可以設置基片上工藝的原點位置和感光表面上的焦平面。

    接下來執行該過程并將設計寫在表面上。



    技術指標:

    XY工作臺

    典型寫入速度:100-120 mm/s

    面積:100x92 mm^2

    最小面積:沒有最小面積

    單向定位臺階:X=0.16µm,Y=1.00µm

    慢速X軸上的機械噪聲:<1µm

    快速Y軸上的機械噪聲:<1µm

    多層對準精度:5-10µm(可選旋轉臺,便于對準)

    實際最小特征尺寸:6-15µm,取決于特征(示例見下圖)


    軟件

    支持的格式:PNG、GDSII

    在軟件轉換:,旋轉、反射、反轉、重縮放、添加邊框

    -可以在一個進程中編寫來自不同文件的多個設計

    -通過3點線性或4點雙線性聚焦測量進行傾斜/翹曲基板補償

    -全床曲率補償的網格型標定


    光學

    -激光波長:405nm(可選375nm)

    -激光聚焦、對準和檢測用共焦顯微鏡

    -二次獨立黃色照明

    -激光光斑尺寸可以使用工業標準顯微鏡物鏡改變


    精度:

    -精細:0.8µm

    -介質:2µm

    -粗粒:5µm


    大面積包含目標的有效書寫速度(單向書寫):

    -精細:1.7 mm^2/min

    -中等:4.25 mm^2/min

    -粗糙度:10.6 mm^2/min

    在雙向寫入模式下速度加倍。





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