RTP-1200快速退火爐
該儀器：尺寸小巧，使用風(fēng)冷、無(wú)須水冷，電流要求不高(3安培)，性?xún)r(jià)比高，使用方便，非常適合科研院所的科研使用。
 

技術(shù)規(guī)格： 
  - 加熱方式：紅外鹵素?zé)簦?00W；
  - 紅外燈數(shù)量：4支；
  - 升溫速率：100℃/秒；
  - 降溫速率：50秒(1000℃ → 400℃)；
  - 溫度：1200℃；
  - 溫度精度：+/-0.3℃
  - 大樣品尺寸：15 x 20mm；
  - 退火環(huán)境：真空、惰性氣體、空氣、其他工藝氣氛(如氧氣、氫氮混合氣等)；
  - 真空泵及極限壓力：機(jī)械泵，10-3Torr水平(選配)；
  - 電壓：220 V，單相；
  - 儀器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)；
  - 質(zhì)量：凈重30Kg；

RTP-1200快速退火爐

儀器特點(diǎn)：

• 可在真空/不同氣氛/空氣不同環(huán)境下，對(duì)樣品進(jìn)行快速熱處理；
• 溫控精度高；
• 無(wú)須配置冷水機(jī)；
• 無(wú)須使用三相電，普通實(shí)驗(yàn)室單相電即可使用；
• 緊湊的臺(tái)式設(shè)計(jì)；
• 儀器操作方便，樣片裝取容易；
• 適合高校或研究所科研使用；
• 價(jià)格合理，高性?xún)r(jià)比；
•  

應(yīng)用領(lǐng)域：

• 快速熱退火 (Rapid Thermal Annealing, RTA);
• 快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation, RTO);
• 快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation, RTN);
• 硅化 (Silicidation);
• 擴(kuò)散 (Diffusion);
• 化合物半導(dǎo)體退火 (Compound Semiconductor Annealing);
• 離子注入后退火 (Implant Annealing);
• 電極合金化 (Contact Alloying);
• 晶體化和致密化 (Crystallization and Densification);
• 合金熔點(diǎn)分析；
• 薄膜沉積；
• 等等…