目錄:鄭州成越科學儀器有限公司>>快速退火爐>> CY-RTP1000-T12-L鹵素燈RTP退火爐
鹵素燈RTP退火爐是一款12寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術，可實現真正的基底溫度測量，不需要采用傳統快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復性高，客戶包括國際上許多半導體公司及科研團隊，是半導體制程退火工藝的理想選擇.
? 真正的基片溫度測量，無需傳統的溫度補償
? 紅外鹵素管燈加熱
? 極其優異的加熱溫度**性與均勻性
? 快速數字PID溫度控制
? 不銹鋼冷壁真空腔室
? 系統穩定性好
? 結構緊湊，小型桌面系統
? 帶觸摸屏的PC控制
? 兼容常壓和真空環境，真空度標準值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr
? *高3路氣體（MFC控制）
? 沒有交叉污染，沒有金屬污染
真實基底溫度測量技術介紹:
如上圖，由陣列式鹵素燈輻射出熱量經過石英窗口到達樣品表面，樣品被加熱，傳統的快速退火爐采用熱電偶進行測量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測量的不是基片真實的溫度，必須進行溫度補償。
鹵素燈RTP退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫，如上圖，接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素燈輻射出熱量經過石英窗口到達樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會進行熱量傳遞，并很快達到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度，從而實現基片溫度的真實測量。
技術參數：
產品名稱 RTP快速退火爐【柜式】 產品型號 CY-RTP1000-T12-L 腔體尺寸 12英寸 基片尺寸 ≤12英寸 升溫速率 A型為標準配置：≤100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz/60Hz，功率50KW 降溫速率 10°C－50°C /s 控溫模式 可預設曲線，按流程控溫 控溫精度 ±1℃ 工作溫度 ≤1000℃ 測溫位置 測溫點置于樣品處 密封法蘭 水冷式 工作真空 6.7×10-5Pa～105Pa均可 可通氣氛 可通：氮氣，氬氣，氧氣等非危險、非腐蝕氣體；如需計量需選配相應的MFC，需要額外計價。 氣體質量流量計CY-S48 真空測量 標準配置：復合真空計，量程10-5Pa～105Pa 真空系統 標準配置：VRD4+600L/S分子泵組。 真空泵CY-4C 供電要求 要求配備32A2P空氣開關，電源電壓AC220V/50Hz/60Hz 水冷機組 水箱容量40L，zui大揚程44m 整機尺寸 620mm*650mm*870mm 包裝尺寸 780mm*950mm*1000mm 包裝重量 230KG 隨機配件 1、說明書1本 2、隨機配件1套 3、配件清單1份
基片類型:
? Silicon wafers硅片
? Compound semiconductor wafers化合物半導體基片
? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍寶石基片
? Silicon carbide wafers碳化硅基片
? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片
? Glass substrates玻璃基片
? Metals金屬
? Polymers聚合物
? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座
離子注入/接觸退火，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)，可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介電材料，晶體化，致密化，太陽能電池片鍵合等
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