目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>快速退火爐>> CY-RTP1200-T4-L快速退火爐
RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過程中的快速熱處理工藝工作。
1、更短的工藝時間；
2、更快的升、降溫速率；
3、處理基片時雜質(zhì)運(yùn)動zui小；
4、減少顆粒沾污；
5、由于腔體體積不大，氣氛純度容易控制.
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過降低氧化反應(yīng)的溫度來降低氧化速率即會帶來另一個問題，生長溫度的降低會導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
| 產(chǎn)品名稱 | RTP快速退火爐【管式】 |
| 產(chǎn)品型號 | CY-RTP1200-T4-L |
| 有效尺寸 | Φ100mm |
| 基片尺寸 | ≦4英寸 |
| 升溫速率 | A型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≦100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz，功率15KW |
| 降溫速率 | 200℃以上≤25min |
| 控溫模式 | 可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫 |
| 控溫精度 | ±1℃ |
| 工作溫度 | ≦1000℃ |
| 測溫位置 | 測溫點(diǎn)置于樣品處 |
| 密封法蘭 | 水冷式 |
| 工作真空 | 10-3Pa～105Pa均可 |
| 可通氣氛 | 可通：氮?dú)猓瑲鍤猓鯕獾确俏ｋU(xiǎn)、非腐蝕氣體 |
| 真空測量 | 標(biāo)準(zhǔn)配置：電阻規(guī)，量程1Pa～105Pa |
| 選裝配置：復(fù)合真空計(jì)，量程10-5Pa～105Pa | |
| 真空系統(tǒng) | 標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD-4真空泵1臺 |
| 供電要求 | 要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC220V/50Hz |
| 水冷機(jī)組 | 水箱容量9L，zui大揚(yáng)程10m |
| 整機(jī)尺寸 | 1200mm x 610mm x 570mm |
| 包裝尺寸 | 1475*700*800 |
| 包裝重量 | 180Kg |
| 隨機(jī)配件 | 1、說明書1本 |
| 2、隨機(jī)配件1套 | |
| 3、配件清單1份 |
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