目錄:鄭州成越科學儀器有限公司>>CVD氣相沉積系統>> CY-PECVD100-1200-QCVD化學氣相沉積系統
CVD（化學氣相沉積）氣相沉積系統是一種常用的薄膜制備技術，通過在高溫下將氣體反應物質與基底表面反應，形成薄膜。
1. 反應室溫度：通常在幾百到千度之間，具體取決于所需的反應溫度和材料。
2. 反應氣體：根據所需的薄膜材料和結構，可以使用不同的反應氣體，如氨氣、氫氣、氧氣、二氧化硅等。
3. 壓力范圍：通常在幾百帕到幾千帕之間，具體取決于反應物質和反應條件。
4. 反應時間：根據所需的薄膜厚度和質量，反應時間可以從幾分鐘到幾小時不等。
5. 基底材料：CVD系統可以用于各種基底材料，如硅、玻璃、金屬等。
6. 應用領域：CVD氣相沉積系統廣泛應用于材料科學和工程領域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導體、光電子、能源、生物醫(yī)學等領域都有重要應用。
產品名稱 CVD化學氣相沉積系統 產品型號 CY-PECVD100-1200-Q 頻電源 信號頻率 13.56MHz±0.005% 功率輸出 0~300W *大反射功率 100W 反射功率 <3W (*大功率時) 功率穩(wěn)定性 ±0.1% 管式爐 管子材質 高純石英 管子外徑 100mm 爐膛長度 440mm 加熱區(qū)長度 200mm+200mm (雙溫區(qū)) 連續(xù)工作溫度 ≦1100℃ 溫控精度 ±1℃ 溫控模式 30段程序控溫 顯示模式 LCD觸摸屏 密封方式 304 不銹鋼真空法蘭 供氣系統 通道數 6通道 測量單元 質量流量計 測量范圍 A 通道: 0～200SCCM， 氣體為H2 B 通道: 0～200SCCM，氣體為CH4 C 通道: 0～200SCCM，氣體為 C2H4 D通道: 0～500SCCM，氣體為 N2 E通道: 0～500SCCM，氣體為 NH3 F通道: 0～500SCCM， 氣體為 Ar 測量精度 ±1.5%F.S 工作壓差 -0.15Mpa~0.15Mpa 接頭規(guī)格 1/4" 卡套接頭 氣體混合罐 1L 真空系統 機械泵 雙極旋片泵 抽速 1.1L/S 真空測量 電阻規(guī) 極限真空 0.1Pa 抽氣接口 KF16 滑 軌 爐體可以滑動，實現快速降溫 供電電源 AC220V 50Hz
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