2022 06-22

近紅外NIR刺激響應性ICG修飾PEG探針簡介

ICG是一種近紅外染料,在NIR-I熒光成像領域有應用．ICG也能實現NIR-II熒光成像﹐構建NIR-II熒光內窺鏡成像系統，并利用ICG分子實現成像檢測．花菁類NIR-II小分子探針，用花鹽代替I...

2022 06-22

近紅外pH探針包裹三嵌段聚合物PEG-PLL-PLLeu簡介

熒光是一種自然界的發光現象，在一般溫度下，大多數分子處在基態的低振動能級。處于基態的分子吸收能量后，其電子便會向高能級發生躍遷。根據不相容原理，分子中同一軌道所占據的兩個電子具有相反的自旋方向，即自旋...

2022 06-22

PET的溶體pH近紅外熒光探針簡介

PET是設計熒光探針的一個原理.基于此原理的探針是由熒光基團-橋連基團-識別基團組成,其中,識別基團與發光基團以非共輒的形式相連,在與靶向物發生作用后,PET效應受限,熒光開始顯現.的3種靶向溶體的p...

2022 06-22

pH/溫度雙響應型聚合物熒光探針簡介

檢測溶體內pH變化的方法有酸堿指示劑滴定法,核磁共振法﹑微電極法和熒光探針檢測法.其中,熒光探針檢測法具備操作簡單、靈敏度高、選擇性好、分辨率高等優勢,能夠實現實時檢測.熒光探針的作用機理一般分為:光...

2022 06-22

PH微環境響應型聚合物NIR熒光探針簡介

PH微環境響應型聚合物NIR熒光探針,七甲川菁染料母體，通過對中位氯的親核取代反應，在此基礎上，探究其對pH微環境檢測的應用。這些染料分子在不同pH溶液中的光譜性質，發現其吸收光譜、熒光光譜都隨pH值...

2022 06-21

近紅外二區熒光分子-TTQ-2TC-4T/TTQ-TA簡介

在光學成像中，相比于近紅外一區熒光成像(650-900nm)和光聲成像模式，近紅外二區(NIR-II，1000-1700nm)熒光成像，特別是在NIR-IIa(1300-1400nm)區間內，其具有分...

2022 06-21

近紅外二區熒光探針光熱試劑 TTQ-2TC簡介

使用帶四個重復噻吩鏈單元的四元噻吩(4T)和長烷基側鏈修飾的雙噻吩(2TC)來降低共軛聚合物主鏈中的電子-受體密度。由此的1064nm吸收型聚合物TTQ-2TC-4T在甲苯溶液中的NIR-II的發光強...

2022 06-21

OH可型小分子NIR-II熒光探針簡介

羥基自由基(OH)是生物系統中具有氧化能力分子之一，與DNA、蛋白質和脂質等生物分子作用會造成氧化應激。設計一種非平面、共輒性差的花菁類染料Hydro-1080，其在可見光區域具有較弱的光學吸收且沒有...

2022 06-21

聚乙二醇修飾熒光探針 PEG-IR-E1簡介

利用近紅外二窗(NIR-Ⅱ)熒光基團CH1055和Ⅱ型膠原蛋白靶向肽構建一種近紅外二窗熒光探針并表征其化學特性.方法:利用近紅外二窗熒光基團CH1055和靶向Ⅱ型膠原蛋白的多肽WYRGRL采用化學方法...

2022 06-20

花菁染料J-聚集體環形ICG分子/近紅外菁染料環形ICG

J聚集體具有的性能與功能，菁染料J-聚集體可應用于成像材料、信息存儲材料、光電材料、太陽能電池和光催化過程等領域。不同菁染料所形成的J-聚集體有不同的組成和結構。將J-聚集體看成一維的線性鏈狀結構,這...

2022 06-20

DMPC磷脂修飾FD-1080熒光分子修飾牛血清白蛋白BSA

熒光成像具有靈敏度、分辨率和反饋等優勢。近紅外（NIR-II）內的光子對生物組織具有的穿透深度和信噪比；尤其位于1500-1700nm范圍內的光子，生物組織在此范圍內具有更低的散射、吸收和自發熒光。一...

2022 06-20

近紅外二區熒光分子-近紅外二區有機小分子熒光探針

熒光成像具有靈敏度高、特異性強等優勢.然而傳統的近紅外一區(NIR-I,700-900nm)熒光成像存在組織穿透性差等問題.近紅外二區(NIR-I1,1000-1700nm)熒光成像可以減弱生物組織對...

2022 06-20

環形J-聚集體-花菁染料IR820 /近紅外環形IR820

溶液中的J-聚集體：隨著染料溶液濃度的提高，其吸收波峰發生藍移。這時產生了雙分子聚集體(D峰)或小的聚集體〈H峰)。進一步提高濃度后又會形成尺寸較大的聚集體、并發生吸收峰的紅移（呈現吸收強度高而窄的吸...

2022 06-06

2-羧基-4-降冰片內酯-5-甲基丙烯酸酯 254900-07-7簡介

光刻膠是電子產業關鍵材料之一，又稱光致抗蝕劑，是一種對光的混合液體。其組成成分主要有光引發劑(包括光增感劑、光致產酸劑)、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠能夠通過光化學反應，在曝光、顯影等光刻...

2022 06-06

雙(4-叔丁苯基)碘鎓三氟甲磺酸鹽 84563-54-2簡介

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光的混合液體。在光...

2022 06-06

丙烯酸1-乙基環戊酯 CAS:326925-69-3 C10H16O2

光刻膠按照應用領域劃分，主要可分為PCB、面板、半導體三類，每一類光刻膠又有各自細分品類。其中半導體光刻膠技術門檻，按照光源波長的從大到小，可分為紫外寬譜(300-450nm)、g線(436nm)、i...

2022 06-06

2-羰基-四氫呋喃-3-羥基-甲基丙烯酸酯 195000-66-9

光刻膠是光刻工藝的材料，主要由樹脂、感光劑、溶劑、添加劑等組成，其中樹脂和感光劑是的部分。光刻膠主要成分：樹脂聚合物、感光劑、溶劑、添加劑。中文名稱：2-羰基-四氫呋喃-3-羥基-甲基丙烯酸酯英文名2...

2022 06-01

甲基丙烯酸-9-蒽甲酯 31645-35-9 C19H16O2

光刻膠是一種有機化合物，受特定波長光線曝光作用后其化學結構改變，在顯影液中的溶解度會發生變化，因此又稱光致抗蝕劑。正膠在曝光后發生光化學反應，可以被顯影液溶解，留下的薄膜圖形與掩膜版相同；而負膠經過曝...

2022 06-01

光刻膠-(9H-芴-9,9-二基)雙(亞甲基)二丙烯酸酯

光刻膠,又稱光致抗蝕劑,具有光化學性,在光的照射下溶解度發生變化,一般以液態涂覆在半導體、導體等基片表面上,曝光烘烤后成固態,它可以實現從掩膜版到基片上的圖形轉移,在后續的處理工序中保護基片不受侵蝕,...

2022 06-01

2-異丙基-2-金剛烷醇丙烯酸酯 251564-67-7

光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類。在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來，而未曝光被溶解，該涂層材料為負性光刻...