一、產品概述

半導體清洗設備是芯片制造過程中關鍵工具，用于去除晶圓表面的顆粒、有機物、金屬污染及氧化物殘留，確保后續工藝（如光刻、沉積、蝕刻）的良率與性能。根據工藝需求，清洗設備分為濕法清洗和干法清洗兩大類，覆蓋從傳統制程到節點（如3nm以下）的全場景應用。

二、核心技術分類

濕法清洗設備

SC-1液（NH?OH/H?O?/H?O）去除有機物和顆粒；

DHF（稀釋氫氟酸）腐蝕氧化物殘留。
結合兆聲波（Saw, 1-10MHz）或噴淋技術，增強清洗均勻性與效率。

化學濕法清洗：
通過酸性或堿性溶液（如SC-1、SC-2、DHF）溶解污染物。例如：

兆聲波清洗（Megasonic Cleaning）：
利用高頻聲波產生空化效應，剝離微小顆粒（＜0.1μm），適用于光刻后清潔。

干法清洗設備

等離子清洗：
通過O?、CF?等氣體產生等離子體，去除光刻膠殘留或有機物，無液體殘留風險。

激光清洗：
采用紫外或皮秒激光，精準去除局部污染物（如EUV光罩清潔），避免熱損傷。

混合工藝設備：
整合濕法與干法步驟，例如“預清洗（兆聲波）+主清洗（化學液）+干燥（真空熱風）”全自動線。

三、關鍵性能指標

潔凈度控制：

顆粒去除能力：＜10顆/cm2（≥0.1μm顆粒）；

金屬污染控制：Fe、Cu等雜質＜1ppb（原子力級）。

工藝兼容性：

支持低k材料（如SiCO）、高深寬比結構（3D NAND）清洗；

溫度均勻性：±0.5°C（避免熱應力損傷）。

自動化與智能化：

集成機器人上下料、CIP（Clean In Place）系統；

實時顆粒監測（液態計數器）、AI缺陷分類與反饋。

四、行業應用場景

前道工藝（晶圓制造）：

光刻后清洗：去除光刻膠殘留（等離子+濕法）；

蝕刻后清洗：去除蝕刻副產物（如SC-2液）。

后道工藝（封裝測試）：

焊盤清潔：激光或等離子去除氧化層，提升鍵合良率。

特殊需求場景：

第三代半導體（SiC/GaN）：高溫耐蝕清洗槽設計；

封裝（TSV/Bumping）：深孔結構清洗。

五、挑戰與未來趨勢

技術瓶頸：

亞微米顆粒（＜0.05μm）去除難度；

低k材料吸濕性導致的干燥應力問題。

創新方向：

環保工藝：超臨界CO?替代氟利昂，減少碳排放；

智能監控：物聯網（IoT）集成，實現工藝參數動態優化；

能量束技術：電子束、離子束清洗用于納米級污染控制。

半導體清洗設備是推動芯片制程進步的隱形支柱，其技術迭代直接關聯產線良率與成本效益。隨著制程節點邁向埃米級（?ngstrom），清洗設備需兼顧超高潔凈度、低損傷、綠色環保三大核心需求，同時融入自動化與智能化技術，助力半導體產業突破物理極限。