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遷移率(霍爾)測(cè)試儀

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公司成立于2021年,是一家注冊(cè)在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測(cè)分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售于一體,主要攻克國(guó)外壟斷技術(shù),替代進(jìn)口產(chǎn)品,使半導(dǎo)體材料測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀、方阻測(cè)試儀、硅片電阻率測(cè)試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀、遷移率(霍爾)測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀,晶圓、硅片厚度測(cè)試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)申請(qǐng)各項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)20余項(xiàng),已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場(chǎng)口碑。





晶圓電阻率測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測(cè)試儀,少子壽命測(cè)試儀

價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,電氣,綜合

霍爾遷移(Hall mobility)是指?Hall系數(shù)RH與?電導(dǎo)σ的乘積,即│RH│σ,具有遷移率的量綱?。其表達(dá)式為μH =│RH│σ。?12

定義和計(jì)算方法

霍爾遷移率是Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率σ的乘積。在簡(jiǎn)單情況下,霍爾遷移率μH等于載流子的電導(dǎo)遷移率μ,但在考慮速度分布的情況下,兩者可能不相等。

與其他遷移率的關(guān)系

霍爾遷移率實(shí)際上不一定等于載流子的電導(dǎo)遷移率,因?yàn)檩d流子的速度分布會(huì)影響電導(dǎo)遷移率。只有在不考慮速度分布的情況下,霍爾遷移率才等于電導(dǎo)遷移率。

應(yīng)用領(lǐng)域

霍爾遷移率在電子材料中是一個(gè)重要指標(biāo),特別是在?GaN基HEMT結(jié)構(gòu)材中。高電子遷移率可以提升器件的工作速度和效率,減少膝點(diǎn)電壓,從而使器件在較高頻率下工作,具有更高的效率。




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