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半導體等離子濺射鍍膜儀采用二級濺射方式，廣泛用于SEM樣品制備或金屬鍍膜試驗。采用低溫等離子體濺射工藝，鍍膜過程中無高溫，不易產生熱損傷。該小型等離子濺射儀使用PLC控制系統(tǒng)，全部觸摸屏操作，便于學習使用。本型號儀器還配有旋轉樣品臺，能夠有效的提升鍍膜的均勻性。（本設備配有旋轉加熱樣品臺，可以提升鍍膜的均勻性和薄膜的附著力）該小型等離子濺射儀使用PLC控制系統(tǒng)，全部觸摸屏操作，便于學習使用。
工作原理：
等離子體激發(fā)：
通入氬氣（Ar）等惰性氣體，在電場作用下電離形成高密度等離子體。
離子轟擊濺射：
高能離子束（能量>1keV）轟擊金屬或化合物靶材，使靶材原子逸出形成定向分子束流。
薄膜沉積：
濺射原子在基片表面沉積成膜，厚度通過石英晶振實時監(jiān)控。
周期性清潔：
真空室清潔：沉積后使用5%氫氮混合氣清除殘留等離子體，內壁鋁箔每10次循環(huán)更換。
靶材維護：金屬靶每50小時拋光表面，氧化物靶定期檢測裂紋。
核心系統(tǒng)保養(yǎng)：
真空系統(tǒng)：
分子泵油每500小時更換，機械泵每季度清洗濾網。
密封圈每月檢查形變，O型圈每半年強制更換。
電氣系統(tǒng)：
高壓電纜絕緣層每周測試耐壓（>10kV）。
等離子電源散熱器每兩周除塵，防止電弧放電。
故障應急處理：
濺射電弧不穩(wěn)定：立即斷電，貼絕緣膠帶隔離暴露金屬件。
真空度下降過快：檢查法蘭密封圈，氦檢漏定位泄漏點。
薄膜均勻性超差：校準基片架公轉/自轉速度。
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