很多人會疑惑：既然 EUV 已經能高效量產先進芯片，為什么還要投入精力研發電子束光刻？答案藏在兩者的 “分工” 里。EUV 追求的是 “批量生產的經濟性”，就像印刷廠的大型設備，能快速復制已有的設計；而 EBL 解決的是 “從 0 到 1 的可行性”，如同作家的鋼筆，負責創造全新的 “故事”

沒有 EBL，EUV 的掩模版無從談起 —— 這種高精度的 “模具” 是芯片量產的基礎，必須依靠電子束光刻的納米級分辨率（可達 2nm）來制作。更重要的是，在 3nm 以下制程研發、量子計算、二維材料等前沿領域，EBL 是目前能實現納米級制造的手段。它不是 EUV 的替代者，而是推動摩爾定律繼續前行的 “隱形引擎”。

電子束光刻的核心，是用聚焦的電子束在光刻膠上 “畫畫”。電子作為帶電粒子，波長極短 —— 根據德布羅意公式，在 100kV 加速電壓下，電子波長僅 0.12nm，遠小于紫外線的數百納米，理論上能實現原子級分辨率。

具體過程就像 “精準雕刻”：電子束在偏轉線圈控制下掃描基板，光刻膠受到電子輻照后，化學性質發生改變 —— 正膠會變得可溶于顯影液，負膠則相反。經過顯影，基板上就能浮現出我們需要的微納結構。這種 “無掩模直寫” 的特性，讓它能靈活實現各種復雜設計，這是光學光刻的。

不過，電子束光刻也有自己的 “煩惱”—— 電子在光刻膠中的散射效應。就像用鋼筆寫字時墨汁會擴散，電子進入光刻膠后，會與分子發生小角度偏轉（前向散射），導致束斑擴大；穿透光刻膠后，還會被基底原子回（背向散射），再次影響光刻膠。

雖然電子束光刻的吞吐量較低，不適合大規模量產，但憑借超高分辨率和設計靈活性，它在關鍵領域：

掩模版制造：EUV 光刻依賴的高精度掩模版，必須由 EBL 制作；

量子器件研發：量子計算中的納米級電路、二維材料器件，只有 EBL 能實現；

定制化器件：高頻芯片、MEMS 傳感器等特殊器件，需要靈活的 EBL 工藝支持。

澤攸 EBL 電子束光刻機，以 ZEL304G 為例，采用場發射電子槍，配備高速圖形發生系統，可實現高速、高分辨光刻。其最小束斑尺寸≤2nm，單次曝光線寬＜15nm，支持多種掃描模式和文件格式，還具備鄰近效應校正功能。設備采用高精度激光干涉樣品臺，行程≥105mm，位置穩定性≤15nm/h，可滿足大行程高精度拼接和套刻需求。該光刻機整機國產化率超 95%，關鍵性能達國際主流水平，廣泛應用于半導體、微電子、光子學、量子技術及新材料研究等領域。

未來，隨著多束光刻、并行光刻等技術的發展，電子束光刻有望在保持高精度的同時提升效率，進一步拓展應用邊界。從支撐當下的芯片量產，到開辟未來科技的新賽道，電子束光刻這位 “隱形引擎”，正以納米級的精度，書寫著微觀世界的無限可能。