半導體等離子去膠機是半導體制造工藝中的關鍵設備,主要用于去除光刻膠、殘留物或污染物。它利用等離子體的高能特性,通過物理或化學作用實現高效、精準的去膠和表面處理。
一、半導體等離子去膠機核心功能與原理:
1.核心功能:
去膠:去除光刻工藝后殘留的光刻膠(正膠或負膠)。
表面清潔:清除晶圓表面的有機物、氧化物或顆粒污染物。
表面活化:增強晶圓表面活性,提高后續工藝(如鍍膜、鍵合)的附著力。
蝕刻:選擇性去除特定材料(如氧化層),用于精細圖形處理。
2.工作原理:
通過等離子體(由氣體電離產生的高能離子和自由基)與光刻膠或污染物發生化學反應或物理轟擊,實現材料去除。
常見氣體包括氧氣、氟化氣體、氬氣等,根據工藝需求選擇。
二、半導體等離子去膠機行業應用場景:
1.半導體制造:
光刻工藝后清洗:去除光刻膠殘留,避免影響后續刻蝕或沉積工藝。
先進封裝:在3D封裝、TSV(硅通孔)等工藝中,用于清潔芯片表面或去除臨時鍵合膠。
MEMS制造:去除光刻膠和釋放微結構(如諧振器、傳感器)。
2.集成電路(IC)生產:
在晶圓減薄、切割前清潔表面,防止污染。
在金屬線鍵合前處理焊盤表面,提高鍵合強度。
3.LED與光電器件:
去除LED芯片表面的光刻膠或熒光粉殘留。
清潔光伏電池表面,提升光電轉換效率。
4.功率器件與第三代半導體:
用于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體的表面處理,去除高粘性光刻膠。
在IGBT、MOSFET等功率器件制造中,清潔金屬層或介質層。
5.先進封裝技術:
在扇出型封裝(Fan-out)、系統級封裝(SiP)中,用于去除臨時鍵合膠或清潔RDL(重布線層)。
6.科研與新材料領域:
在納米材料、石墨烯等新型材料的制備中,用于表面清潔或圖形化處理。
支持高校、研究所的微納加工實驗。
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