一、新材料

1. 二維材料
• 特點：二維材料（如石墨烯、二硫化鉬等）具有單層或多層原子厚度，其電子遷移率極的高。以石墨烯為例，它的電子遷移率比傳統硅材料高出幾個數量級。這意味著電子在石墨烯中移動的速度更快，從而可以實現更高速的電子器件。
• 應用前景：在超高速晶體管、高頻通信芯片等領域有巨大潛力。例如，未來 5G 甚至 6G 通信中，需要處理大量高頻信號，二維材料制成的芯片可以更高效地完成這些任務。
2. 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）
• 特點：這些寬禁帶半導體材料具有高電子飽和速度、高熱導率和高擊穿電場強度。高擊穿電場強度意味著它們可以在高電壓下工作而不會被擊穿，高熱導率則有助于散熱。
• 應用前景：在新能源汽車、5G 基站、智能電網等領域應用廣泛。例如，碳化硅功率器件可以用于新能源汽車的電驅動系統，提高能效，減少能量損耗，從而增加汽車的續航里程。

二、新架構

1. 三維集成
• 特點：傳統的芯片是二維平面結構，而三維集成是將多個芯片堆疊在一起，通過垂直互連技術實現芯片之間的連接。這種方式可以大大縮短信號傳輸距離，減少延遲。
• 應用前景：在高性能計算芯片、人工智能芯片等領域非常關鍵。例如，英偉達的高的端 GPU 就采用了三維集成技術，將多個小芯片堆疊在一起，從而實現更高的計算性能和更低的功耗。
2. 異構集成
• 特點：將不同功能、不同工藝的芯片集成在一起，比如將處理器芯片、存儲芯片、傳感器芯片等集成在一個封裝內。這種集成方式可以充分發揮各芯片的優勢，實現功能的互補。
• 應用前景：在物聯網設備、邊緣計算設備中應用廣泛。例如，一個智能傳感器節點可以將傳感器芯片用于數據采集，將處理器芯片用于數據處理，將通信芯片用于數據傳輸，通過異構集成實現一個小型化、高性能的系統。

三、新工藝

1. 極紫外光刻（EUV）技術的深化應用
• 特點：極紫外光刻技術使用波長極短（如 13.5 納米）的極紫外光進行光刻，能夠實現更小的芯片特征尺寸。它比傳統的深紫外光刻技術精度更高，可以制造更小的晶體管。
• 應用前景：目前 EUV 技術是先進制程芯片制造的關鍵技術，未來隨著技術的進一步發展，它將能夠制造更小尺寸的芯片，比如 3 納米、2 納米甚至更小制程的芯片，從而推動半導體行業繼續向高性能、低功耗方向發展。
2. 原子層沉積（ALD）技術
• 特點：這種技術可以在納米尺度上精確地沉積薄膜材料，能夠實現均勻、超薄的薄膜覆蓋。這對于制造新型半導體器件（如新型晶體管的柵極絕緣層）非常重要。
• 應用前景：在新型半導體器件制造中不的可的或的缺。例如，在制造下一代的環繞柵極晶體管（GAA）時，需要精確控制薄膜的厚度和均勻性，ALD 技術可以滿足這些要求。