大功率探針臺專為大電流、高電壓場景下的半導體器件測試而設計，適用于IGBT、SiC/GaN功率模塊、激光二極管等器件的極限性能評估。

其高承載能力與抗干擾設計，確保測試數據精準可靠。

技術細節深度解析

高功率承載能力

電流與電壓范圍：支持1000A電流與數千伏級電壓測試，滿足大功率器件的極限工況驗證需求。

低接觸電阻設計：采用異形螺母與鍍金探針，確保信號傳輸穩定性，降低測試誤差。

精密散熱與結構設計

高效散熱系統：集成液冷通道與風冷模塊，保障設備在持續高功率運行下的溫控穩定性。

抗彎抗扭結構：關鍵部件采用高強度合金材質，搭配三孔徑絕緣布局（VDT技術），提升設備機械強度與電磁兼容性。

智能化測試平臺

多軸聯動調節：X-Y-Z軸行程達20mm，支持手動/自動模式切換，適配復雜測試路徑。

可編程控制：內置定時器（0~10分鐘）與高速轉盤（兼容Φ6/8/12英寸晶圓），實現自動化測試流程。

高兼容性與擴展性

模塊化設計：支持探針卡、光學觀測系統（分辨率達**3cm/2.5m/1.5m**）等配件靈活擴展，適配多樣化測試需求。

核心應用領域

新能源與電動汽車：

SiC/GaN功率模塊的導通損耗與開關特性分析。

工業電源：

IGBT、MOSFET的長期可靠性測試與失效分析。

光通信：

大功率激光二極管的輸出穩定性驗證。

大功率探針臺詳細參數

專為大功率而生：

從硬件設計到軟件控制，全鏈路優化高電流、高電壓測試的穩定性與精度。

快速響應需求：

提供定制化探針卡、散熱方案及數據接口，縮短客戶研發周期。

高速服務體系：

24小時技術支援，確保設備高效運行。

型號對比與選型指南：