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PECVD設備主要用于在潔凈真空環境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。
設備用途和功能特點
1、該設備是高真空單頻或雙頻等離子增強化學氣相沉積PECVD薄膜設備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。
2、設備保護功能強，具備真空系統檢測與保護、水壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護。
3、配置尾氣處理裝置。
設備安全性設計
1、電力系統的檢測與保護
2、設置真空檢測與報警保護功能
3、溫度檢測與報警保護
4、冷卻循環水系統的壓力檢測和流量檢測與報警保護
設備技術指標
| 類型 | 參數 |
|---|---|
| 樣片尺寸 | ≤φ6英寸（或3片2英寸） |
| 樣片加熱臺加熱溫度 | 室溫～ 600℃±0.1℃ |
| 真空室極限真空 | ≤7×10-5Pa |
| 工作背景真空 | ≤8×10-4Pa |
| 設備總體漏放率 | 停泵12小時后，真空度≤10Pa |
| 樣品、電極間距 | 5mm ～ 50mm在線可調 |
| 工作控制壓強 | 10Pa ～ 1500Pa |
| 氣體控制回路 | 根據工藝要求配置 |
| 單頻電源的頻率 | 13.56MHz |
| 雙頻電源的頻率 | 13.56MHz/400KHz |
工作條件
| 類型 | 參數 |
|---|---|
| 供電 | 三相五線制 AC 380V |
| 工作環境溫度 | 10℃～ 40℃ |
| 氣體閥門供氣壓力 | 0.5MPa ～ 0.7MPa |
| 質量流量控制器輸入壓力 | 0.05MPa ～ 0.2MPa |
| 冷卻水循環量 | 0.6m3/h 水溫18℃～ 25℃ |
| 設備總功率 | 7kW |
| 設備占地面積 | 2.0m ～ 2.0m |
PECVD設備及太陽能薄膜電池設備
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