基于SUSS MicroTec的光刻機經(jīng)典設(shè)計，MA100/150e Gen2提供了工藝延展性，使客戶能夠?qū)⑿碌男酒O(shè)計快速投入市場，其光刻作業(yè)產(chǎn)量高達(dá)每小時145片。

MA100/150e Gen2針對上至4英寸的小尺寸晶圓片進(jìn)行了特別優(yōu)化設(shè)計。系統(tǒng)可以穩(wěn)定地達(dá)到優(yōu)于0.7µm的對準(zhǔn)精度（直接對準(zhǔn)）。選配的底部對準(zhǔn)功能（BSA），對準(zhǔn)精確度優(yōu)于±1.5 µm。MA100/150e的對準(zhǔn)單元針對LED制造工藝要求進(jìn)行了特別調(diào)校，透明和表面粗糙的晶圓片都能獲得好的對比度。

將一個已形成結(jié)構(gòu)的掩模與圓晶對齊，然后將掩模與圓晶的距離縮得非常小（因此又叫“接近式光刻"）。 在曝光過程中，掩模結(jié)構(gòu)的影子被轉(zhuǎn)移到圓晶上。 掩模于圓晶之間距離的精度以及曝光鏡頭系統(tǒng)的質(zhì)量，一起決定了曝光結(jié)果的質(zhì)量。

該方法因為速度快，應(yīng)用靈活，從而成為微結(jié)構(gòu)生產(chǎn)具有成本效益的方法，它能生產(chǎn)出最小4微米的微結(jié)構(gòu)。 接觸式曝光能達(dá)到亞微米級別的分辨率。 典型的應(yīng)用范圍包括圓晶級芯片尺寸封裝、倒裝芯片封裝、凸點、微電子機械系統(tǒng)（MEMS）、LED和電力設(shè)備等領(lǐng)域。 這些系統(tǒng)被應(yīng)用到了大規(guī)模生產(chǎn)的以及工業(yè)研究領(lǐng)域中。