詳細介紹

上海麥科威MKW-200是一個高價值的激光直寫光刻機，面向大學和研究機構尋求擴大他們的能力。

它用亞微米像素分辨率的405nm激光在光敏抗蝕劑涂層表面大面積書寫。你可以寫任何東西，從光掩模到基礎科學或應用科學的研究原型，集成相機可以用來調整現有的功能寫。

我們對其進行了優(yōu)化，以便于使用和簡單維護，利用現成的部件，而不犧牲書寫質量或功能。

直接激光書寫光刻

直接激光光刻技術通過消除光掩模生產對外部供應商的依賴，大大降低了微流體、微電子、微機械和材料科學研究等領域的成本和執(zhí)行時間。

UV-Writer隨其控制軟件在PC上提供。它允許您從GDSII文件的單元格或直接從PNG圖像導入要寫入的設計。

一切都是通過一個用戶友好的圖形界面來完成的，它允許您在執(zhí)行之前預覽要編寫的設計。

除了對每個設計應用旋轉、反射、反轉或比例調整等變換外，還可以在單個過程中組合多個設計。

在確定了設計方案后，采用了所包含的工作臺控制模塊和共焦顯微鏡。

使用它們，您可以設置基片上工藝的原點位置和感光表面上的焦平面。

接下來執(zhí)行該過程并將設計寫在表面上。

技術指標：

XY工作臺

典型寫入速度：100-120 mm/s

面積：100x92 mm^2

最小面積：沒有最小面積

單向定位臺階：X=0.16µm，Y=1.00µm

慢速X軸上的機械噪聲：<1µm

快速Y軸上的機械噪聲：<1µm

多層對準精度：5-10µm（可選旋轉臺，便于對準）

實際最小特征尺寸：6-15µm，取決于特征（示例見下圖）

軟件

支持的格式：PNG、GDSII

在軟件轉換：，旋轉、反射、反轉、重縮放、添加邊框

-可以在一個進程中編寫來自不同文件的多個設計

-通過3點線性或4點雙線性聚焦測量進行傾斜/翹曲基板補償

-全床曲率補償的網格型標定

光學

-激光波長：405nm（可選375nm）

-激光聚焦、對準和檢測用共焦顯微鏡

-二次獨立黃色照明

-激光光斑尺寸可以使用工業(yè)標準顯微鏡物鏡改變

精度：

-精細：0.8µm

-介質：2µm

-粗粒：5µm

大面積包含目標的有效書寫速度（單向書寫）：

-精細：1.7 mm^2/min

-中等：4.25 mm^2/min

-粗糙度：10.6 mm^2/min

在雙向寫入模式下速度加倍。