產(chǎn)品簡介
| 產(chǎn)地類別 |
進(jìn)口 |
價(jià)格區(qū)間 |
5萬-10萬 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 |
環(huán)保,化工,制藥/生物制藥,綜合 |
華南代理ULVAC愛發(fā)科 UNECS-Portable高速光譜橢偏儀
華南代理ULVAC愛發(fā)科 高速光譜橢偏儀
高速光譜橢偏儀是一種用于快速測量薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)以及材料微結(jié)構(gòu)的光學(xué)測量儀器
產(chǎn)品介紹
華南代理ULVAC愛發(fā)科 高速光譜橢偏儀
華南代理ULVAC愛發(fā)科 高速光譜橢偏儀
高速光譜橢偏儀是一種用于快速測量薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)以及材料微結(jié)構(gòu)的光學(xué)測量儀器，以下將從其工作原理、主要特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及部分型號產(chǎn)品參數(shù)等維度展開介紹：
工作原理
主要特點(diǎn)
測量速度快：能夠在短時(shí)間內(nèi)完成大量測量點(diǎn)的數(shù)據(jù)采集，如 ULVAC 的 UNE CS 系列最快可在 20ms 內(nèi)完成一次測量，HORIBA 的 UVISEL 相位調(diào)制型光譜橢偏儀 50ms 即可獲得數(shù)據(jù)，大大提高了測量效率，適用于在線監(jiān)測和快速過程控制。
測量精度高：可以精確測量薄膜厚度、折射率、消光系數(shù)等參數(shù)，厚度測量的重復(fù)性可低至 0.1nm，能夠滿足各種高精度測量需求。
非接觸式測量：對樣品沒有破壞，也不需要真空環(huán)境，不會對被測樣品造成損傷，適用于各種易損或敏感材料的測量。
光譜范圍寬：覆蓋從紫外到紅外的多個(gè)波段，如 M-2000 系列光譜范圍可從 193nm 延伸到 1690nm，不同的光譜范圍可以提供關(guān)于材料不同的信息，有助于對各種材料進(jìn)行全面的分析。
多種測量模式：具備多種測量模式和功能，如自動(dòng)聚焦、自動(dòng)變角、多點(diǎn) Mapping 測量等，可根據(jù)不同的測量需求進(jìn)行靈活配置。
應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體行業(yè)：用于半導(dǎo)體材料的薄膜厚度監(jiān)測、光刻膠厚度測量、半導(dǎo)體器件制造過程中的工藝控制等，如監(jiān)測硅片上氧化層、氮化層、光刻膠等薄膜的厚度和光學(xué)性質(zhì)，以確保半導(dǎo)體器件的性能和質(zhì)量。
光學(xué)鍍膜：對各種光學(xué)薄膜，如增透膜、高反膜、濾光膜等的厚度和折射率進(jìn)行精確測量和控制，以實(shí)現(xiàn)光學(xué)元件的優(yōu)良光學(xué)性能。
光伏領(lǐng)域：在太陽能電池的研發(fā)和生產(chǎn)中，用于測量光伏材料的薄膜厚度和光學(xué)特性，如非晶硅、多晶硅、碲化鎘、銅銦鎵硒等薄膜材料，有助于優(yōu)化電池結(jié)構(gòu)，提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
顯示行業(yè)：用于液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器等顯示器件中薄膜材料的測量和質(zhì)量控制，如測量液晶層、有機(jī)發(fā)光層、透明導(dǎo)電電極等薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)，確保顯示器件的顯示效果和性能。
材料研究：在新材料的研發(fā)過程中，用于研究材料的光學(xué)性質(zhì)、薄膜生長過程、材料微結(jié)構(gòu)等，幫助科研人員了解材料的特性，開發(fā)出具有更好性能的新材料。
部分型號產(chǎn)品參數(shù)
測量速度：單點(diǎn)測量速度快至 0.3 秒，5 點(diǎn)含移動(dòng)約 10 秒。
光譜范圍：最寬可至 193nm-1690nm。
測量速度：最快可達(dá) 20ms。
光譜范圍：標(biāo)準(zhǔn)型為 530nm 至 750nm，可見光譜型為 380nm 至 760nm。
測量速度：可在小于 1 秒的時(shí)間內(nèi)測量 390 個(gè)以上波長。
光譜范圍：M-2000 V 為 370nm 至 1000nm；M-2000 U/X 為 245nm 至 1000nm；M-2000 D 為 193nm 至 1000nm，NIR 擴(kuò)展后可達(dá) 1010nm 至 1690nm。
入射角：計(jì)算機(jī)控制的入射角范圍為 20° 至 90°（垂直）或 45° 至 90°（水平）。
M-2000 系列
UNE CS 系列
COSE PV 6.1M
中級會員·2年
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
