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低真空化學氣相沉積設備是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統CVD製程相比，低真空化學氣相沉積設備：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）、晶圓內的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產成本。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。
參數
應用領域 | 腔體 |
· 碳納米管和石墨烯的製程。 · · SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜 · 製程。 · · 熱退火。 · · 擴散製程。 · · 氧化製程。 · | · 加熱爐配置：水平或垂直，結合 · 傳送機構。 ·
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配置和優點 | 選件 |
· 客製化的基板尺寸，直徑可達8寸 · 晶圓。 · · 單載片或多載片。 · · 優異的薄膜均勻度小於±5％。 · · 精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納10條氣體管線。 · · 穩定的溫度控制，可將載盤加熱至1700°C。 · | · 可以與傳送腔(單載臺或多載臺)整 · 合在一起。 · |
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