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| 應用領域 | 綜合 | 精度 | ±0.1% |
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是運用四探測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機、測試臺、四探探頭、計算機等部分組成，測量數據既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數據到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統計分析顯示測試結果。
產品簡介
詳細介紹
四探測試儀型號：BN/RTS-4
四探測試儀是運用四探測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機、測試臺、四探探頭、計算機等部分組成，測量數據既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數據到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統計分析顯示測試結果。
儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數快、精度高、測量范圍寬、穩定性好、結構緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導體材料廠、半導體器件廠、科研單位、高等院校對半導體材料的電阻性能測試。
技術指標
測量范圍
電阻率：0.0001～2000Ω.cm(可擴展)；
方塊電阻：0.001～20000Ω/□(可擴展)；
電導率：0.0005～10000 s/cm；
電阻：0.0001～2000Ω；
可測晶片直徑
140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；
200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；
400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；
恒流源：電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續可調
數字電壓表：量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發光管數字顯示；極性、量程自動顯示；
四探探頭基本指標 間距：1±0.01mm；
間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%；
探：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探探頭應用參數 (見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進行) 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機測量大相對誤差 (用硅標樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機測量標準不確定度 ≤5%
軟件功能（選配）軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數據，并統計分析測試數據大值、小值、平均值、大百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數據生成直方圖，也可把測試數據輸出到Excel中，對數據進行各種數據分析。軟件還可選擇自動測量功能，根據樣品電阻大小自動選擇適合電流量程檔測試。
計算機通訊接口：并口，高速并行采集數據，連接電使用時采集數據到電的時間只需要1.5秒
標準使用環境 溫度：23±2℃；
相對濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強光直射；
