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鈣鈦礦鍍膜機2

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更新時間:2024-03-12 09:46:03瀏覽次數(shù):577

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品簡介:鈣鈦礦鍍膜機主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品簡介:

     鈣鈦礦鍍膜機主要由有機/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、蒸發(fā)源、樣品加 熱控溫、電控系統(tǒng)、配氣系統(tǒng)等部分組成。適用于制備金屬單質(zhì)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、氧化物薄膜、有機薄 膜等,可用于科研單位進(jìn)行新材料、新工藝薄膜研究工作, 也可用于大批量生產(chǎn)前的試驗工作,廣泛應(yīng)用 于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED 等研究領(lǐng)域。

產(chǎn)品型號

鈣鈦礦鍍膜機

主要特點

1、樣品位于真空室上方,蒸發(fā)源位于真空室下方,向上蒸發(fā)鍍膜,且蒸發(fā)源帶有擋板裝置。

  2、設(shè)有烘烤加熱功能,可在鍍膜過程中加熱樣品, 烘烤加熱溫度為 180℃。

  3、設(shè)有斷水、斷電連鎖保護(hù)報警裝置及防誤操作保護(hù)報警裝置。

技術(shù)參數(shù)

1、鍍膜室:不銹鋼材料,采用方形前后開門結(jié)構(gòu),內(nèi)帶有防污板, 腔室尺寸約為 600mm×450mm×450mm

2、真空排氣系統(tǒng):采用分子泵+機械泵系統(tǒng)

3、真空度:鍍膜室極限真空≤6×10-4Pa

4、系統(tǒng)漏率:≤ 1×10-7Pa

5、蒸發(fā)源:安裝在真空室的下底上; 有機蒸發(fā)源 4 個、 容積 5ml 2 臺蒸發(fā)電源,可測溫、控溫, 加熱溫度 400℃, 功率 0.5KW;無機蒸發(fā)源 4 套、 容積 5ml 2 臺蒸發(fā)電源, 加熱電流 300A ,功率 3.2KW;蒸發(fā)源擋板采用自動磁力控制方式控制其開啟

  6、樣品架:安裝在真空室的上蓋上, 可放置 Ø120mm 的樣品、載玻片, 旋轉(zhuǎn)速度 0-30rpm

  7、加熱溫度: RT-180℃,測溫、控溫

  8、膜厚控制儀:石英晶振膜厚控制儀, 膜厚測量范圍 0-999999Å

 

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