目錄:四川梓冠光電科技有限公司>>硅基芯片>>芯片>> ZGSOI芯片光電探測器-混頻光 電探 測 器陣列
SOI芯片式光電探測器陣列，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列特性
多通道
高集成度芯片化
大模擬帶寬
SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列應用領域
光纖傳感
光纖通信
激光雷達
SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列規格參數
| 參數指標 | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波長范圍 | nm | 1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm | ||
| 暗電流 | nA | 30@-1V, | ||
| 3dB 模擬帶寬 | GHz | 30@-2V | ||
| 光飽和功率 | mW | 10 | ||
| 響應度 | A/W | 0.8 | ||
| 90度光學混頻器損耗 | dB | 6 | 6.5 | 6.7 |
| 90度光學混頻器相位失衡度 | ° | 5 | ||
| 通道數 | 1,2,3,4,5 或可定制 | |||
| 光纖接入損耗 | dB | ≤1.5 | ||
| 偏振相關損耗 | dB | ≤0.5 | ||
| 工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 50 | |
| 工作濕度范圍 | % | +65 | ||
| 芯片尺寸 | mm | 陣列式光電探測器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH 陣列式混頻探測器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH 4 通道混頻探測器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H) | ||
SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列芯片尺寸
四川梓冠光電SOI芯片光電探測器陣列訂貨信息
| ZG | 波長 | 通道數 | 類型 |
| 13=1310nm 15=1550nm | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=other | 1=光電探測器 1=PD 2=混頻器 2=Mixer XX=other |
SOI芯片式光電探測器陣列，該產品基于硅基鍺-硅光電探測器，實現了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列特性
多通道
高集成度芯片化
大模擬帶寬
SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列應用領域
光纖傳感
光纖通信
激光雷達
SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列規格參數
| 參數指標 | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波長范圍 | nm | 1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm | ||
| 暗電流 | nA | 30@-1V, | ||
| 3dB 模擬帶寬 | GHz | 30@-2V | ||
| 光飽和功率 | mW | 10 | ||
| 響應度 | A/W | 0.8 | ||
| 90度光學混頻器損耗 | dB | 6 | 6.5 | 6.7 |
| 90度光學混頻器相位失衡度 | ° | 5 | ||
| 通道數 | 1,2,3,4,5 或可定制 | |||
| 光纖接入損耗 | dB | ≤1.5 | ||
| 偏振相關損耗 | dB | ≤0.5 | ||
| 工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 50 | |
| 工作濕度范圍 | % | +65 | ||
| 芯片尺寸 | mm | 陣列式光電探測器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH 陣列式混頻探測器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH 4 通道混頻探測器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H) | ||
SOI芯片光電探測器-混頻光電探測器陣列芯片尺寸
四川梓冠光電SOI芯片光電探測器陣列訂貨信息
| ZG | 波長 | 通道數 | 類型 |
| 13=1310nm 15=1550nm | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=other | 1=光電探測器 1=PD 2=混頻器 2=Mixer XX=other |
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