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四川梓冠光電科技有限公司

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SOI芯片光電探測器陣列

閱讀:1544      發布時間:2023-8-3
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SOI芯片光電探測器陣列

SOI Chip-based Photodetector Array

SOI芯片式光電探測器陣列,該產品基于硅基鍺-硅光電探測器,實現了多通道光電探測器的單片化集成,可片上集成光學混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。


〖特性Features

n 多通道

Multi-channels

n 高集成度芯片化

Chip based

n 大模擬帶寬

Large electrical bandwidth

〖應用Applications〗

n 光纖傳感

Optical fiber sensor

n 光纖通信

Optical fiber communications

n 激光雷達

LiDAR system

〖性能指標Specifications〗

參數指標

Parameters

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

備注

Notes

波長范圍

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or  1270nm—1330 nm

暗電流

Dark current

nA

35


50


3 dB模擬帶寬

3 dB bandwidth

GHz



28


光飽和功率

Optical saturation power

mW

10




響應度

Responsibility

A/W

0.8


0.85


90度光學混頻器損耗

90°mixer loss

dB

6

6.5

6.7


90度光學混頻器相位失衡度

90°mixer phase unbalance

°

5




通道數

Number of channels


8或可定制

8 or Can be customized


光纖接入損耗

Insertion loss

dB

≤0.5


偏振相關損耗

PDL

dB

≤0.3


工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20


50


工作濕度范圍

Operating humidity range

%



+65


芯片尺寸

Chip Dimensions

mm

4(L)×5(W)×0.5(H)




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