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光遺傳性微絲列陣

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更新時間:2022-04-29 14:06:07瀏覽次數:706

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產品簡介

應用領域 醫療衛生,環保,食品/農產品,生物產業,農林牧漁
光遺傳性微絲列陣 Opto-MWA 專為慢性實驗而設計,為神經科學界提供了最佳的靈活性和負擔得起的替代方案。通過集成光纖結合多通道陣列對細胞進行光活化/光抑制,您可以在光刺激的同時實現對擴展大腦區域的神經電生理記錄。

詳細介紹

光遺傳性微絲列陣憑借我們新穎可靠的產品,通過集成光纖結合多通道陣列對細胞進行光活化/光抑制,您可以在光刺激的同時實現對擴展大腦區域的神經電生理記錄。光遺傳性微絲列陣 Opto-MWA 專為慢性實驗而設計,為神經科學界提供了最佳的靈活性和負擔得起的替代方案。

光遺傳性微絲列陣

用戶定制

多種光纖直徑可供選擇。

多達 32 個穿透電極圍繞一根或多根光纖。

每個電極和光纖的自定義長度在 1 40 毫米之間,包括陣列內的不同長度。

電極之間的自定義間距在 0.1 - 1 毫米范圍內

單個電極的自定義微電極阻抗范圍在 10 kΩ - 5 MΩ 之間。

自定義電極,端部直徑在 1 - 6 µm 之間。

根據研究人員的要求定制參考電極和接地電極。

可選集成光纖和/或藥物輸送套管。

Parylene-C 電極絕緣。

純銥建議用于慢性刺激研究。

可選的聚酰亞胺管以增加剛度。

金屬類型

/銥 純銥

應用:

單臺-LFP ECOG

脊髓

隔離制備

光遺傳性微絲列陣

受試對象

嚙齒動物

大型動物

鳥類

非人類靈長類

光纖位于陣列的中間,其垂直位置是定制的,其插座與大多數光源兼容。

k1.png

小規模但高密度的陣列提供多通道單單元 (SUA)、多單元 (MUA) 和場電位 (FP) 數據,從而獲得一致和高質量的結果。

標準布局

k2.png

電極直徑 75 µm125 µm 225 µm

A. 電極之間的距離 100 µm 1 mm

B. 電極與光纖之間的距離 100 µm 1 mm

C. 光纖直徑 125 µm 230 µm

k3.png

光遺傳學將特定神經元或蛋白質的基因靶向與光學技術相結合,用于對完整、活神經回路內的目標進行成像或控制(Deisseroth 等,用于照亮基因靶向大腦回路的下一代光學技術。J Neurosci. 2006 Oct 11; 2641):10380-6。)

k4.png

數據由 Ilka Diester、感覺運動回路和光遺傳學、恩斯特·斯特魯恩曼研究所與德國馬克斯·普朗克學會合作提供


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