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| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
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HgPSe3晶體，拓撲絕緣體
材料名稱：HgPSe3晶體
性質分類：拓撲絕緣體，紅外材料
禁帶寬度：1.209 eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：中
HgPSe3晶體，拓撲絕緣體
HgPSe3代表的是由汞（Mercury，Hg）、磷（Phosphorus，P）和硒（Selenium，Se）元素組成的化合物。這種化合物可能具有層狀的結構，類似于其他硒化物和層狀材料。
HgPSe3可能是一種二維材料，可能表現出電學、光學或磁學性質。層狀材料在納米科技、電子學和光電子學領域具有潛在的應用，因為其結構和性質使其在這些領域中備受關注。
然而，關于HgPSe3的具體性質和潛在應用，其晶體結構和電學性質，目前可能仍然存在較少的詳細信息。科學家們可能在對其進行更深入的研究，以了解其性質和潛在應用。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.15.
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