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鎵鈦共摻雜氧化鋅半導體薄膜(GZO:Ti)
【詳細信息】
鎵鈦共摻雜氧化鋅（GZO:Ti）薄膜是一種半導體材料，通常應用于透明導電膜、光電子器件、薄膜晶體管等領域。
制備方法： GZO:Ti薄膜的制備方法可以采用物理氣相沉積（PVD）、濺射沉積、溶液法等。選擇適當的制備方法可能取決于應用需求和薄膜性質的要求。
摻雜濃度： 調節鎵和鈦的摻雜濃度可以影響GZO:Ti薄膜的電學和光學性質。優化摻雜濃度是提高薄膜性能的關鍵。
透明性： GZO:Ti薄膜通常被設計為透明導電膜，因此了解薄膜在可見光和近紅外光譜范圍內的透明性是非常重要的。
電學性質： 研究GZO:Ti薄膜的電學性質，如電導率、載流子濃度等，對于透明導電膜的應用是關鍵的。
光學性質： 了解GZO:Ti薄膜的光學性質，包括吸收譜、透射譜、折射率等，對于光電子器件的設計和優化是重要的。
【基本信息】
中文名稱：鎵鈦共摻雜氧化鋅半導體薄膜
英文名稱：GZO:Ti
純度：99%
保存時間：1年
包裝：瓶裝/袋裝
儲藏條件：-20°C 下避光保存
用途：僅用于科研，不能用于人體
【定制產品】
Al2(WO4)3薄膜
TiO2-CeO2薄膜
HfSiON高k柵介質薄膜
(Ba0.7Sr0.3)TiO3鐵電薄膜(BST)
Pb(Zr0.52Ti0.48)O3鐵電薄膜(PZT)
SnS薄膜
Yb2O3薄膜
以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.2.26.
以上文中提到的產品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。
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