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日本napson定制產(chǎn)品電阻參考晶片:NRW系列

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日本napson定制產(chǎn)品電阻參考晶片:NRW系列

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

NRW系列是標(biāo)準(zhǔn)的硅晶片,已經(jīng)通過電阻測(cè)量領(lǐng)xian公司Napson的嚴(yán)格測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了電阻評(píng)估/認(rèn)證。它使用已被中子輻照的高度穩(wěn)定的晶片。

Napson的4探針電阻測(cè)量設(shè)備通過電阻標(biāo)準(zhǔn)晶圓(NIST,VLSI)進(jìn)行校準(zhǔn),并由以下SEMI標(biāo)準(zhǔn),日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)和美國材料測(cè)試協(xié)會(huì)(ASTM)定義。符合標(biāo)準(zhǔn)。

<符合標(biāo)準(zhǔn)>

[SEMI標(biāo)準(zhǔn)]

 SEMI-MF43-99,SEMI-MF374-02,SEMI-MF84-02,SEMI-MF1529-02

[美國測(cè)試與材料學(xué)會(huì)]

 ASTM-F-84-99(SEMI-MF84),ASTM-F-374-00a,ASTM-F-390-11,ASTM-F-1529-97

[日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)]

 JIS-H-0602-1995

 

測(cè)量規(guī)格

<通用規(guī)格>

?材質(zhì):硅

?制造方法:FZ法

?表面處理:包裹

?晶體方向:(1-1-1)±1度

?摻雜:N型(磷)

?晶圓尺寸:Φ100mm(4英寸)

?晶圓厚度:*取決于電阻類型。請(qǐng)參考下表。

<晶圓陣容/規(guī)格>

類型

電阻
(歐姆·厘米)

晶圓厚度
(微米)

薄層電阻
(Ohm / sq)
*計(jì)算值

NRW-1-28

 28.00±2.00

559.00±25.00

約500

NRW-2-110

 110.00±11.00

580.00±10.00

約2000

NRW-3-200

 200.00±12.00

675.00±25.00

約3000

NRW-4-330

 330.00±25.00

675.00±25.00

約5000

NRW-5-550

 550.00±50.00

450.00±25.00

約12000

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