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| 產地類別 | 國產 | 電動機功率 | 0.03kW |
|---|---|---|---|
| 外形尺寸 | 425*255*106mm | 應用領域 | 醫療衛生,化工,電子/電池,航空航天,電氣 |
| 重量 | 5kg | 測試范圍 | 0.3mV-300V/100nA-1A |
| 測試精度 | 0.1% | 最大輸出功率 | 30W |
產品簡介
詳細介紹
MOSFET管電性能分析用源表集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，最大輸出電壓達300V，最小電流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中:半導體IC或元器件，功率器件，傳感器，有機材料與納米材料等特性測試和分析。
以下是數字源表的典型應用領域:
納米材料與器件
– 石墨烯
– 碳納米管
– 納米線
– 低功耗納米結構
• 半導體結構
– 晶圓
– 薄膜
• 有機材料與器件
– 電子墨水
– 印刷電子技術
• 能量效率與照明
– LED/AMOLED
– 光伏/太陽電池
– 電池
• 分立器件與無源組件
– 雙引線: 電阻器、二極管、齊納二極管、LED、傳感器
– 三引線: 小信號雙極節型晶體管(BJT)、場效應晶體管 (FET)，等等
• 材料特性分析
–電阻率
–霍爾效應
典型的器件參數測試如下：
晶體管/整流器：正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)、反向漏電流(Ir)
MOSFET/JFET：輸出特性(Vds-Id)、轉移特性(Vgs-Id)、導通電阻(Rdson)、擊穿電壓(BVdss,BVdg)、漏電流(Idss,Igss)
雙極性晶體管/IGBT：飽和電壓(Vcesat)、輸出特性(Vce-Ic)、擊穿電壓(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏電流(Iceo,Ices,Iebo)
以上是關于MOSFET管電性能分析用源表的信息，更多有關MOSFET管電性能分析用源表的信息找武漢生產廠家普賽斯儀表
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