針對光學和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問題,設(shè)計了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽極清洗裝置。
主要結(jié)論有:
(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達10-6 Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時避免了靶裝置在預先清洗時的污染;設(shè)計了靶裝置的驅(qū)動端,完成了電機、傳動裝置和軸承的選型。
(2)設(shè)計等離子體源來改善沉積系統(tǒng)離化率不足的問題。選擇0.2 mm鎢絲制成陰極,坩堝作為陽極。利用基爾霍夫定律計算出螺旋管的長度與橫截面積。比較了等離子體源的四種電源連接方式,選擇在螺旋管兩端加入輔助調(diào)節(jié)電源,方便調(diào)節(jié)電磁場的方式。
(3)設(shè)計了陽極清洗裝置來解決磁控濺射中的陽極污染問題。陽極清洗裝置包括可旋轉(zhuǎn)陽極和清洗裝置兩部分,設(shè)計了多套清洗裝置協(xié)同工作時的電源連接方式。制定了冷卻系統(tǒng)方案和管路圖來滿足系統(tǒng)的冷卻設(shè)計要求。設(shè)計了一套供氣系統(tǒng),根據(jù)設(shè)計要求確定了電磁閥和質(zhì)量流量計的型號。
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