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產品簡介
詳細介紹
深圳市三佛科技有限公司 供應 5N10 100V MOS，原裝，庫存現貨*
HN0501為中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN0501實際電壓可以達到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。
HN0501參數：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管/場效應管
品牌：HN
型號：HN0501
VDS：100V
IDS：5A
封裝：SOT-23
溝道：N溝道
100V MOS管HN0501原裝*,HN0501現貨*供應。
HN0501采用*的溝槽技術和設計為優秀的無線電數據系統（ON）提供低門電荷。它可以應用范圍廣泛電源切換應用硬開關和高頻電路LED。
Vds=100V，ID=5A，rds（on）<145Ω@vgsΩ）。超低RDSON的高密度電池設計。充分表征雪崩電壓和電流。良好散熱的優良封裝。
售后服務：公司免費提供HN0501樣品，并提供產品運用的技術支持。
阿里店鋪：阿里 “供應商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。
100V MOS管HN0501替代：HC5N10，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328DS，AO3442，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328DS，HC160N10LS，NCE0102，NCE0102ZA，G1003A，G1003B，G1005A，AO3422，AO4454，AO3442，CJ2324，AO3422，VSC160N10MS，SL100N10MS，NCE0103Y等等。
MOS場效應三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；
電極 G（Gate） 稱為柵極，相當于的基極；
電極 S（Source）稱為源極，相當于發射極。
N溝道增強型MOS場效應管結構
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。
5N10 100V MOS 產品*