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產品簡介
詳細介紹
深圳市三佛科技有限公司 供應 20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN，原裝，庫存現貨*
HN2301參數： -20V -3A SOT-23 P溝道 MOS管/場效應管
品牌：HN
型號：HN2301GN
VDS: -20V
IDS: -3A
封裝：SOT-23
溝道： P溝道
HN2301GN原裝現貨，HN2301GN優勢*
HN2301GN泛運用于電源，充電頭，控制板，計算機，家電，通訊設備等產品上.
售后服務：公司免費提供HN2301GN樣品，并提供HN2301GN產品運用的技術支持。
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HN2301可以替代：CJ2301，AO2301，AP2301GN，PL2301，NCE2301E，AP2301EN，si2301，NCE2301C，AP2301BGN-HF，NCE2301E。
場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。
場效應管工作原理：就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。
20V 3A P溝道MOS 替代AP2301GN 產品*