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深圳市三佛科技有限公司 供應 20V SOT-23 PMOS 貼片MOS，原裝，庫存現貨*

 HN3415參數：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應管  帶ESD靜電保護
品牌：HN
型號：HN3415D
主要參數：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
ESD保護：1500V
HN3415D原裝現貨，HN3415D優勢*

HN3415D采用*的溝道技術，提供優良的RDS（開），低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該設備適用于負載開關或脈寬調制應用。它是防靜電的
應用：脈寬調制應用，負載開關，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產品●表面安裝包

 HN3415D廣泛運用于電源，充電頭，控制板，計算機，家電，通訊設備等產品上。

售后：免費提供樣品，和產品技術支持。
阿里店鋪：阿里 “供應商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。 
HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

 場效應管工作原理：就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。

20V SOT-23 PMOS 貼片MOS 產品*，