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深圳市三佛科技有限公司 供應 FIR3N10MTG 100V SOT-89 MOS，原裝，庫存現貨*

 FIR3N10MTG 參數：100V 8A SOT-89  MOS管/場效應管， N溝道

品牌： 福斯特
型號：FIR3N10MTG
VDS：100V
IDS： 8A
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
FIR3N10MTG原裝*,FIR3N10MTG現貨*供應

 HN0801可以替代FIR3N10MTG

 HN0801參數：100V 8A SOT-89  MOS管/場效應管， N溝道

HN0801結合了*的溝槽，低電阻封裝的MOSFET技術，提供極低的無線電數據系統（開）。此設備非常適合電源切換應用和LED背光。

HN0801為中壓MOS:100V，N溝道，大電流，HN0801實際電壓可以達到100V，HN0801產品質量穩定，廣泛運用 于小家電，霧化器，加濕器，電源
100V MOS管，HN0801參數：100V 8A SOT-89 N溝道MOS管/場效應管
品牌：HN
型號：HN0801
VDS：100V  
IDS：8A  
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
HN0801原裝*,HN0801現貨*供應

 售后服務：公司免費提供HN0801樣品，并提供產品運用的技術支持。

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金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。

 P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓值相等的情況下，P溝道MOS管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是,因P溝道MOS管電路工藝簡單,價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用P溝道MOS管電路技術。

FIR3N10MTG 100V SOT-89 MOS  替代型號  HN0801 產品*