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深圳市三佛科技有限公司 供應 WNM01N10 100V  2.1A MOS，原裝，庫存現貨*

WNM01N10參數：100V  2.1A  SOT-23  MOS管/場效應管

型號：WNM01N10
VDS：100V  
IDS：2.1A  
封裝： SOT-23
溝道：N溝
WNM01N10原裝*，WNM01N10庫存現貨*

 HN0501 可以替代 WNM01N10

 HN0501 參數  100V 5A  SOT-23  MOS管/場效應管

 HN0501采用*的溝槽技術和設計為的無線電數據系統（ON）提供低門電荷。它可以應用范圍廣泛電源切換應用硬開關和高頻電路LED。
Vds=100V，ID=5A，rds（on）<145Ω@vgsΩ）。超低RDSON的高密度電池設計。充分表征雪崩電壓和電流。良好散熱的優良封裝

 品牌：HN
型號：HN0501
VDS：100V  
IDS：5A  
封裝：SOT-23
溝道：N溝道

 100V MOS管HN0501原裝*,HN0501現貨*供應

 100V MOS管HN0501產品質量穩定，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，電源，香薰機,美容儀加濕器,霧化器,混色LED燈等電子產品
我司可以免費提供100V MOS管HN0501樣品。
售后服務：公司免費提供HN0501樣品，并提供產品運用的技術支持。

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100V MOS管HN0501替代：HC5N10，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328DS，AO3442，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328DS，HC160N10LS，NCE0102，NCE0102ZA，G1003A，G1003B，G1005A，AO3422，AO4454，AO3442，CJ2324，AO3422，VSC160N10MS，SL100N10MS，NCE0103Y等等。

 場效應管主要有兩種類型：結型場效應管和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。
由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。
FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET