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深圳市三佛科技有限公司 供應 30V P溝道 MOS 30V SOT23 HN3401，原裝，庫存現貨*

 HN3401為低壓MOS:-30V，P溝道，大電流，小封裝MOS，HN3401實際電壓可以達到-30V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。

HN3401產品質量穩定，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，游戲機，電源，混色LED燈等電子產品。
HN3401可以替代：CJ3401，CJ3401A，CJ3407，CJ4459，AP2305AGN，AP2309GN，AP2319GN，AP2309GEN，AP2309AGN，AP3601N，AP3P080N，AP3P090N。

 HN3401參數：-30V -4.2A  SOT23       P溝道 MOS管

品牌：HN
型號：HN3401
VDS: -30V
IDS: -4.2A
封裝：SOT-23
溝道：N溝道
 司可以免費提供HN3401樣品。

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 【30V MOS N/P溝道】

HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N溝道 MOS管
HN3401:     -30V -4.2A  SOT23       P溝道 MOS管
HN20N03： 30V  20A  SOT-89         N溝道 MOS管 

HN20N03DA：30V 20A TO-252   N溝道   MOS
HN10N03DA：30V 10A TO-252     N溝道 MOS管
HN85N03DA：30V 85A TO-252    N溝道 MOS管 
HN4435 ：      -30V  -9.1A   SOP8  P溝道  MOS管 
HN20P03 ： SOT-89  -30V -20A  P溝道 MOS管 
HN20P03 ： TO-252  -30V -20A  P溝道 MOS管 
HN16P03 ：-30V -16A  DFN3.3*3.3  P溝道 MOS管 
HN30P03 -30V -30A DFN3*3-8  P溝道 MOS管 

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金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓值相等的情況下，P溝道MOS管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現之后，多數已為NMOS電路所取代。只是,因P溝道MOS管電路工藝簡單,價格便宜，有些中規模和小規模數字控制電路仍采用P溝道MOS管電路技術。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件。P溝道MOS管集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。