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30V TO-252 MOS管 HN10N03DA

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更新時間:2021-04-23 16:26:13瀏覽次數:146

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產品簡介

產地類別 國產 應用領域 電子/電池
深圳市三佛科技有限公司 供應 30V TO-252 MOS管 HN10N03DA,原裝,庫存現貨熱銷

詳細介紹

深圳市三佛科技有限公司 供應 30V TO-252 MOS管 HN10N03DA,原裝,庫存現貨熱銷

 HN10N03DA參數:30V 10A TO-252    N溝道 MOS管  /場效應管

品牌:HN
型號:HN10N03DA
VDS:30V  
IDS:10A  
封裝:TO-252
溝道:N溝道
HN10N03DA原裝產品,HN10N03DA現貨熱銷供應
HN10N03DA產品應用于:汽車LED燈, 應急燈等低壓DC/DC電路,小家電,電源
售后服務:公司免費提供HN10N03DA樣品,并提供產品運用的技術支持。

 阿里店鋪:阿里 “供應商 ”搜索 ,深圳市三佛科技有限公司,咨詢客服購買。

 30V TO-252 MOS管 HN10N03DA 產品熱銷

N溝道EMOS管外部工作應滿足的條件:

1.VDS > 0(漏極和源極之間的電壓必須大于0,保證漏襯PN結反偏)

2.U接電路低電位或S極(保證源襯PN結反偏)

3.VGS > 0(形成導電溝道)

總結:對于N溝道EMOS管常規操作方法:S極接電源的負極是D極的公共端,所以可以在D極上串聯一個負載,負載的另一端接電源+,而G*電平接通SD端,而低電平斷開SD端。P溝道EMOS管與N溝道EMOS管邏輯相反,不同之處在于G極是低電平導通SD端且D極接GND,高電平斷開

N溝道MOSFET管用法:(柵極G高電平D與S間導通,柵極G低電平D與S間截止,P溝道與之相反)N溝道MOSFET管用法:(柵極G高電平D與S間導通,柵極G低電平D與S間截止,P溝道與之相反)N溝道MOSFET管用法:(柵極G高電平D與S間導通,柵極G低電平D與S間截止,P溝道與之相反)。

 

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