深圳市三佛科技有限公司 供應AP6N090G 60V SOT-89  MOS，原裝，庫存現貨熱銷

 AP6N090G參數：60V 2.7A SOT-89  MOS管/場效應管， N溝道

富鼎* 代理商

 品牌： 富鼎*APEC
型號：AP6N090G
VDS：60V 
IDS：2.7A 
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
AP6N090G原裝產品,AP6N090G現貨熱銷供應。

HN0801可以替代AP6N090G

 HN0801參數：100V 8A SOT-89  MOS管/場效應管， N溝道

HN0801結合了*的溝槽，低電阻封裝的MOSFET技術，提供極低的無線電數據系統（開）。此設備非常適合電源切換應用和LED背光。

 售后服務：公司免費提供HN0801樣品，并提供產品運用的技術支持。

 阿里店鋪：阿里 “供應商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。

MOS場效應三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝道增強型MOSFET的結構示意圖和符號見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；

電極 G（Gate） 稱為柵極，相當于的基極；

電極 S（Source）稱為源極，相當于發射極。

N溝道增強型MOS場效應管結構
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。