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深圳市三佛科技有限公司>>60V MOS N/P溝道>> AP2310GG 60V 2.7A SOT-89 MOS管

AP2310GG 60V 2.7A SOT-89 MOS管

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更新時間:2021-04-12 13:53:45瀏覽次數:265

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產品簡介

產地類別 國產 應用領域 電子/電池
深圳市三佛科技有限公司 供應 AP2310GG 60V 2.7A SOT-89 MOS管,原裝,庫存現貨熱銷

詳細介紹

深圳市三佛科技有限公司 供應 AP2310GG 60V 2.7A SOT-89  MOS管,原裝,庫存現貨熱銷

 AP2310GG參數:60V 2.7A SOT-89  MOS管/場效應管, N溝道
富鼎*APEC 一級代理商
品牌: 富鼎*APEC
型號:AP2310GG
VDS:60V 
IDS:2.7A 
封裝:SOT-89
溝道:N溝道
AP2310GG原裝產品,AP2310GG現貨熱銷供應

HN0801可以替代AP2310GG

 HN0801參數:100V 8A SOT-89  MOS管/場效應管, N溝道

 品牌:HN
型號:HN0801
VDS:100V  
IDS:8A  
封裝:SOT-89
溝道:N溝道

HN0801原裝產品,HN0801現貨熱銷供應

 HN0801結合了*的溝槽,低電阻封裝的MOSFET技術,提供極低的無線電數據系統(開)。此設備非常適合電源切換應用和LED背光,HN0801為中壓MOS:100V,N溝道,大電流,HN0801實際電壓可以達到100V,HN0801產品質量穩定,廣泛運用 于小家電,霧化器,加濕器,電源。

 

AP2310GG 60V 2.7A SOT-89  MOS管產品熱銷

 

 場效應管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說,ID流經通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結反偏的變化,產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域,表示的過渡層的擴展因為不很大,根據漏極-源極間所加VDS的電場,源極區域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型,ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次,VGS向負的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。

 

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