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                    鈣鈦礦特性分析系統

近年來, 有機半導體材料與器件領域的研究和開發取得了日新月異的進展，其中有機電致發光二極管、有機薄膜晶體管、有機太陽能電池、有機存 儲器、有機傳感器、有機激光器等相關有機半導體材料與器件的研究取得了大量的研究成果。隨著有機半導體材料與器件研究和開發的深入,  研究人員越發清楚地認識到,  有機半導體中載流子的傳輸能力是影響有機半導體器件性能的一個至關重要的因素。衡量有機半導體材料載流子傳輸能力的主要參數是載流子遷移率u,  它直接反映了載流子在電場作用下的運動能力, 因此載流子遷移率的測量是有機半導體材料與器件研究中的重要內容。

我公司推出鈣鈦礦特性分析系統有機太陽能電池OPV、鈣鈦礦太陽能電池、OLED器件和其他有機半導體器件載流子遷移率測量系統，為廣大科研工作者和研發機構提供了有力的測試工具。

鈣鈦礦特性分析系統主要應用：
*無機半導體材料，有機半導體材料OLED等；
*有機太陽能電池OPV；
*鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell；
*無機太陽能電池（例如：單晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太陽能電池）；
*染料敏化太陽能電池DSSC；

主要測量功能：
*大功率點MMP，FF，Voc，Isc，遷移率，理想因子（空間電荷限制電流SCLC法）
*電子與空穴遷移率，載流子俘獲動力學過程（瞬態光電流法）
*電子與空穴的復合，載流子俘獲動力學過程（瞬態光電壓/瞬態開路電壓法）
*俘獲動力學過程（雙脈沖瞬態光電流）
*載流子遷移率（暗注入瞬態法）
*串聯電阻，幾何電容，RC時間（電壓脈沖法）
*參雜密度，電容率，串聯電阻，載流子遷移率（暗態線性增加載流子瞬態法）
*載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態法）
*載流子復合過程，朗之萬函數復合前因子（時間延遲線性增加載流子瞬態法）
*不同工作點的載流子強度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態法）
*幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態法）
*載流子遷移率，陷阱強弱度，等效電路（阻抗譜測試）
*遷移率，陷阱強弱度，電容，串聯電阻（電容VS頻率）

*內建電壓，參雜濃度，注入勢壘，幾何電容（電容VS電壓）

*發射開關電壓（電流電壓照度特性）
*發光壽命，載流子遷移率（瞬態電致發光法）

測量技術：

1）IV/IVL特性：IV和IVL曲線是針對OLED和OPV標準的量測手法，通過曲線可以得到樣品的電流電壓特性關系、電流電壓與光強的特性關系；

*對于太陽能電池可通過空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等；

2）瞬態光電流響應法（Transient Photocurrent ）：研究器件內電荷載流子俘獲動態過程和載流子遷移率等；

3）瞬態光電壓（Transient Photovoltage）：研究器件內部電荷載流子俘獲動態過程和復合過程；

4)雙脈沖瞬態光電流（Double Transient Photocurrent）：分析電荷載流子俘獲動態過程；

5)暗注入瞬態法（Dark Injection）：電荷載流子遷移率分析；

6)電壓脈沖法（Voltage Pulse）：串聯電阻、幾何電容和RC效應分析；

7)暗態線性增壓載流子瞬態法（Dark-CELIV）：參雜濃度、相對介電常數、串聯電阻、電荷載流子遷移率測量；

8)光照線性增壓載流子瞬態法（Photo-CELIV）：提取有機太陽能電池片內載流子遷移率mobility ，以及載流子濃度分析等；

9)時間延遲線性增壓載流子瞬態法（Delaytime-CELIV）：復合動態過程分析和郎之萬復合因子分析等；

10）注入線性增壓載流子瞬態法（Injection-CELIV）：電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測量分析；

11）MIS-CELIV：幾何電容和相對介電常數分析；

12）阻抗譜測量（Impedance Spectroscopy）：量測器件內電荷載流子遷移率和載流子俘獲動態過程等；

13）電容頻率測量法（C-f）: 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯電阻測量；

14）電容電壓測量法（C-V）：內建電壓、參雜濃度和幾何電容等測量；

13）電容頻率測量法（C-f）: 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯電阻測量；

14）電容電壓測量法（C-V）：內建電壓、參雜濃度和幾何電容等測量；