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邁威鉛酸蓄電池MW55-12 12V55AH 尺寸及規格

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  • 邁威電池

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規格
12V7AH90元300 件 可售
12V12AH150元300 件 可售
12V17AH190元300 件 可售
12V24AH225元300 件 可售
12V33AH290元200 件 可售
12V40AH320元200 件 可售
12V50AH400元200 件 可售
12V65AH420元200 件 可售
12V80AH520元200 件 可售
12V100AH600元200 件 可售
12V120AH660元200 件 可售
12V150AH890元200 件 可售
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更新時間:2021-07-30 21:11:33瀏覽次數:876

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產品簡介

供貨周期 現貨 應用領域 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合
主要用途 UPS蓄電池
我公司所售的蓄電池保證是原裝產品,,簽訂合同.38Ah以上蓄電池質保三年(含38Ah),三年內出現任何非人為質量問題,我司免費更換型號相同的全新蓄電池,請廣大客戶放心購買!
邁威鉛酸蓄電池MW55-12 12V55AH 尺寸及規格

詳細介紹

邁威鉛酸蓄電池MW55-12 12V55AH 尺寸及規格

邁威鉛酸蓄電池MW55-12 12V55AH 尺寸及規格

1)IGBT構成高頻整流器的整流波形
  
  用IGBT構成的高頻整流器和用晶閘管一樣是對輸入電壓波形實行切割,所不同的是,晶閘管是對輸入電壓波形實現集中切割,需要多少切割多少;而且BT是對輸入電壓波形實行均勻地高頻切割,如圖2.18所示。有的是頻率固定而切割寬度可調,有的是寬度固定而頻率可調,這樣做的目的是為了使輸入電流和電壓同相,達到輸入功率因數為l的目的。既然如此,就和用晶閘管時不一樣了,是不是就可以將輸人電壓的變化范圍變得很大呢?事情也并非如此簡單。為了說明這個問題,不得不從IGBT的性質說起,而且IGBT將是圖2.18用IGBT作高頻整流器的切割波形情況今后UPS中的主導器件。


  
  2)IGBT的性能
  
  IGBT稱做絕緣門極雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor),它是綜合了功率場效應管MOSFET和達林頓晶體管GTR二者的優點的一種器件。由表2.1可以看出它們之間的關系。

1000 (1).jpg

邁威蓄電池產品優勢:
深度放電后回充性強,甚至在放電后在未及時補充電的情況下容量能得到回充。
是的用于循環使用的電池——適于每天使用。
長時間放電具有*的性能。
更適合于高溫環境使用。
適于電力干線供電不穩定的環境。
無流動性的膠體電解液,使電解液在電池內部不產生分層現象。
無需平衡充電。

非常準確的酸量控制,有效地保護了正極板并提高了電池壽命。
采用厚極板,減小了板柵的腐蝕,并提高循環壽命。
內阻低,充電接受能力強。
與鉛酸電池相比,在正常的充電條件下,電池內部水份損耗非常小。
*造就的高分子聚合物隔板,提高了電池的性能及壽命。
隔板機械強度隔板的應用,避免了短路的產生的可能。

邁威蓄電池型號參數表:

電池型號

額定電壓(V)

容量(Ah)

重量約(kg)

外觀尺寸

端子類型

MW7-12

12

7

2.5

151

66

98

/

MW12-12

12

12

3.8

151

94

98

/

MW17-12

12

17

5

181

77

167

T2

MW24-12

12

24

6.5

166

126

174

T4

MW33-12

12

33

11

197

166

174

T32

MW38-12

12

28

12

197

166

174

T32

MW40-12

12

40

12.5

197

166

174

T32

MW55-12

12

55

16.5

230

138

211

T9,T16

MW65-12

12

65

20

350

166

179

T9

MW100-12

12

100

30

407

174

209

T10

MW120-12

12

120

37

407

174

233

T11

MW150-12

12

150

42.5

484

170

240

T46

MW200-12

12

200

60

522

240

216

T11

1002438.jpg


邁威蓄電池

1.維護簡單
充電時,電池內部產生的氧氣大部分被極板吸收還原成電解液,基本沒有電解液減少。

2.持液性高
電解液被吸收于隔板中,保持不流動狀態,所以即使倒下也可使用。(倒下超過90度以上不能使用)

3.性能
由于過充電操作失誤引起過多的氣體可以放出,防止電池的破裂。

4.自放電極小
用特殊鉛酸合金生產板柵,把自放電控制。

5.壽命長、經濟性好
電池的板柵采用性好的特種鉛,同時采用特殊隔板能保住電解液,再同時用強力壓緊正板活性物質,所以是一種壽命長、經濟的電池。

6.內阻小
由于內阻小,大電流放電特性好。

7.深放電后有優良的恢復能力
萬一出現長期放電,只要充分充電,基本不出現容量降低,很快可以恢復。
通訊電源 不間斷電源 應急燈 電力系統
警報系統 太陽能系統 玩具 設備

邁威蓄電池特點:

1. 性能好:在正常使用下無電解液漏出,無電池膨脹及破裂。
2. 放電性能好:放電電壓平衡,放電平臺平緩。
3. 耐振動性能好:*充電狀態的電池*固定,以4㎜的振幅,16.7Hz的頻率振動1小時,無漏液,無電池膨脹及破裂。開路電壓正常。
4. 耐沖擊性好:*充電狀態的電池從20cm高處自然落至1cm厚的硬木板上3次。無漏液,無電池膨脹及破裂。開路電壓正常。
5. 耐過放電性好:25攝氏度,*充電狀態的電池進行定電阻放電3星期(電阻值相當于該電池1CA放電要求的電阻),恢復容量在75%以上。
6. 耐過充電性能好:25攝氏度,*充電狀態的進行0.1CA充電48小時,無漏液,無電池膨脹及破裂。開路電壓正常。容量維持率在95%以上。

7. 耐大電流性好:*充電狀態的2CA放電5分鐘或10CA放電5秒鐘。無導電部分熔斷,無外觀變形。

邁威蓄電池保護和養護:

在運用UPS供電體系的進程中,大家通常片面地以為蓄電池是免保護的而不加重視。但是有資料標明,因蓄電池毛病而致使UPS主機毛病或作業不正常的份額大約為1/3。由此可見,加強對UPS電池的準確運用與保護,對延伸蓄電池的運用壽數,下降UPS電源體系毛病率,有著越來越重要的含義。除了選配正規品牌蓄電池以外,應從以下幾個方面下手準確地運用與保護蓄電池:

(1)   堅持恰當的環境溫度。影響蓄電池壽數的重要因素是環境溫度,通常電池生產廠家請求的最好環境溫度是在20℃~25℃之間。盡管溫度的添加對電池放電才干有所進步,但支付的價值卻是電池的壽數大大縮短。據實驗測定,環境溫度一旦逾越25℃,每添加10℃,電池的壽數就要縮短一半。現在UPS所用的蓄電池通常都是閥控式密封鉛酸蓄電池,規劃壽數遍及是5年,這在電池生產廠家請求的環境下才干到達。達不到規則的環境請求,其壽數的長短就有很大的差異。別的,環境溫度的進步,會致使電池內部化學活性增強,然后發作很多的熱能,又會反過來促進周圍環境溫度添加,這種惡性循環,會加快縮短電池的壽數。

(2)   定時充電放電。UPS電源體系中的浮充電壓和放電電壓,在出廠時均已調試到額外值,而放電電流的巨細是跟著負載的增大而添加的,運用中應合理調理負載,比方操控核算機等電子設備的運用臺數。通常情況下,負載不宜逾越UPS額外負載的60%。在這個范圍內,蓄電池就不會呈現過度放電。

UPS因長時刻與市電相連,在供電質量高、很少發作停電的運用環境中,蓄電池會長時刻處于浮充電狀況,時刻長了就會形成電池化學能與電能彼此轉化的活性下降,加快老化而縮短運用壽數。因而,通常每隔23個月應*放電一次,放電時刻可依據蓄電池的容量和負載巨細確定。一次全負荷放電結束后,按規則再充電8小時以上。

65100.png

行業新聞:

從表中可以看出,IGBT的性能處于功率場效應管MOSFET和達林頓晶體管GTR之間,并且集中了二者的優點。比如,GTR是電流驅動,因此驅動效率低、驅動電路復雜,而MOSFET是電壓驅動,因此驅動效率特別高,驅動電路也簡單,于是,IGBT就采用了電壓驅動方式;器件打開后,MOSFET的飽和壓降大,造成功耗大、效率低,而GTR的飽和壓降非常低,因此其功耗小、效率高,故IGBT就采用了它的這個優點,等等。所以IGBT一問世就得到了廣泛的使用。據東芝公司以前的報導,1200V/100A等級IGBT的導通電阻是同一耐壓規格功率MOSFET的1110;開關時間是同規格GTR的1110。一般GTR的工作頻率在5kHz以下,MOSFET在30kHz以上,IGBT的工作頻率在10~30kHz之間。
  
  3)IGBT的簡單工作原理
  
  上述那些優點是如何實現的呢?這個問題可以用圖2.19(a)所示的簡化等效電路來說明。IGBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區GTR,圖中電阻Rd,是厚基區GTR基區內的調制電阻。它有三個極,分別稱做漏極D(Drain)、游、極S(Source)和柵極G(Gate),有的也將柵極稱為門極。由這個等效電路圖也可以看出,IGBT是以GTR為主導的器件,MOS-FET只是一個驅動器件。圖中的GTR是PNP管構成的達林頓管,MOSFET為N溝道器件。因此這種結構稱為N-IGBT,或稱N溝道IGBT。
  
  IGBT的圖形符號有兩種,如圖2.19(b)所示。圖2.19(b)左面表示的是N-IGBT的一種圖形符號,它和MOSFET的圖形符號基本相似,不同的是在漏極增加了一個向內的箭頭,其含義就是注入孔穴。至于P-IGBT的圖形符號也類似,只要把原來的箭頭方向反轉180。就可以了。圖2.19(b)右面表示的是N-IGBT的另一種圖形符號,在這里漏極和源極的名稱被集電極C(Collector)和發射極E(Emitter)所代替。


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