本安型紅外線測距儀 礦用激光測距儀 激光測距儀 型號：HAD-HT01

本安型紅外線測距儀：
測量度 ±2mm
測量范圍 0.05M --- 200M
．測量范圍為0.05至200m，度為±2mm
．遠距離測距100m無須使用反射板
．屏幕照明燈顯示、屏幕圖形顯示
．前端測量或底測量選擇、延遲測量
．持續測量
．防水、防塵
有煤安認證

2.無線高壓電流互感器變比測試儀 型號:HAD-9500

產品特點

測量：高低壓電流互感器一二次回路的電流、變比、比差、角差、相別、極性、漏電流在線測試監控；變壓器兩側電流大小、變比在線測試監控；高空電流、漏電流測試；一二次回路核相、相序判斷功能。

無線高壓變比測試儀突破傳統結構，專為測量高低壓一二次回路的電流、變比、漏電流而精心設計制造的，采用新CT技術及掩膜數字集成技術，由專用高壓檢測儀、低壓電流鉗、主機、高壓絕緣桿、監控軟件等組成，其無線傳送測試數據能穿透多層樓房障礙，直線傳輸距離達300米。若不使用絕緣桿，還可以當作高精度低壓鉗形電流表、漏電流表使用，能準確測出0.01mA～1000A的電流或漏電流。 

3.活性炭粒度測定儀/活性炭粒度測試儀/活性碳粒度檢測儀?? 型號:HAD-LD3

主要部件及主要參數:

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測顆粒粒度測定儀的主要部件及參數

l???????? 轉速：150±2r/min

轉軸偏心距：20?±1mm

2.定時器

3.電壓：220V??? 功率：0.5KW

4.手持式四探針測試儀/四探針檢測儀 型號:HAD-3

概述
HAD-3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.HAD 標準。
儀器成套組成：由HAD-3主機、選配的四探針探頭等二部分組成，也可加配測試臺。
儀器所有參數設定、功能轉換全部采用輕觸按鍵輸入；具有零位、滿度自校功能；手動/自動轉換量程可選；測試結果由數字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電電池供電，適合手持式變動場合操作使用！
探頭選配：根據不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。配專用探頭，也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。
詳見《四探針探頭特點與選型參考》點擊進入
儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、智能化程度高、結構緊湊、使用簡便等特點。
儀器適用于半導體材料廠、器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的手持式導電性能的測試。
三、基本技術參數
1. 測量范圍、分辨率
電??? 阻：???? 0.010 ～ 50.00kΩ,???? 分辨率0.001 ～ 10 Ω
電 阻 率：???? 0.010～ 20.00kΩ-cHAD， 分辨率0.001 ～ 10 Ω-cHAD
方塊電阻：???? 0.050～ 100.00kΩ/□?? 分辨率0.001 ～ 10 Ω/□
2. 可測材料尺寸
手持方式不限材料尺寸，但加配測試臺則由選配測試臺決定如下：
直??? 徑：HADT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130HADHAD。
HADT-C方測試臺直接測試方式180HADHAD×180HADHAD。
長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100HADHAD。.
測量方位: 軸向、徑向均可.

5.多功能數字式四探針測試儀/臺式四探針電阻率測試儀 型號:HAD-2258C

概述
HAD-2258C型多功能數字式四探針測試儀是運用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設計符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標準。
儀器成套組成：由主機、選配的四探針探頭、測試臺等部分組成。
主機主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式單片機系統組成。儀器所有參數設定、功能轉換全部采用數字化鍵盤輸入；具有零位、滿度自校功能；電壓電流全自動轉換量程；測試結果由數字表頭直接顯示。本測試儀特贈設測試結果分類功能，最大分類10類。
探頭選配：根據不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關類接觸電阻進行測量。配專用探頭，也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。
測試臺選配：一般四探針法測試電阻率/方阻配HAD-T-A或HAD-T-B或HAD-T-C或HAD-T-F型測試臺。二探針法測試電阻率測試選HAD-T-K型測試臺，也可選配HAD-T-D型測試臺以測試半導體粉末電阻率，選配HAD-T-G型測試臺測試橡塑材料電阻率。詳見《四探針儀器、探頭和測試臺的特點與選型參考》
儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、智能化程度高、結構緊湊、使用簡便等特點。
儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。
三、基本技術參數
1. 測量范圍、分辨率（括號內為可向下拓展1個數量級）
電??? 阻：10.0×10-6 ～ 200.0×103? Ω,??? 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103? Ω
???????? （1.0×10-6 ～ 20.00×103? Ω,??? 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω）
電 阻 率：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω-cm?? 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103? Ω-cm
???????? （1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω-cm? 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω-cm）
方塊電阻：50.0×10-6 ～ 900.0×103 Ω/□??? 分辨率5.0×10-6 ～ 0.5×103? Ω/□
???????? （5.0×10-6 ～ 100.0×103 Ω/□? 分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×103? Ω/□）
2. 材料尺寸(由選配測試臺和測試方式決定)
直??? 徑： HAD-T-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，手持方式不限
HAD-T-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm，手持方式不限.
長(高)度：? 測試臺直接測試方式 H≤100mm,??? 手持方式不限.
測量方位:? 軸向、徑向均可

以上參數資料與圖片相對應