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| 產地類別 | 進口 | 應用領域 | 綜合 |
|---|
超分辨量子顯微鏡 (3D磁電流顯微鏡）
提供一種用于異構集成和封裝失效分析的超分辨率量子顯微鏡系統。該技術利用高靈敏度磁電流成像（MCI）提取多層信息，可深入查看集成電路內芯片堆疊的內部結構。
超分辨量子顯微鏡（3D磁電流）產品特點：
疊層失效的橫向和深度定位
高橫向/深度分辨率（分別低至200 nm和1μm）、寬視場（高達4 mm）的3D磁成像能力使我們能夠為不同層創建電流圖像，識別短路和真正的開路。
樣品制備簡單
由于磁場可不受影響地穿過cmos材料，因此需要的樣品制備只是de-capping。
強大的QD軟件
軟件利用專門開發的機器學習和后處理算法，可在幾分鐘內獲得結果。
室溫、環境條件、穩健運行
無需特別條件即可輕松識別故障。
1. TOP image 顯示了一個樣品的磁場圖，其中3個不同層同時位于不同深度的活動電流。層間距為85μm。
2. Left column（灰色）顯示了從總圖像中提取的各個單獨層。
3. Right column（藍色）顯示了產生磁場的各個層內提取的電流。
超分辨量子顯微鏡（3D磁電流）參數指標：
系統參數
| 側向分辨力（xy) | 達200nm |
| 深度分辨力（z) | 達1um |
| 視場范圍 | 達4mm×4mm |
| 基底噪聲 | 150nT (DC) （AC可達10nT） |
| 頻率范圍 | DC-4GHz (AC) |
| 靈敏度 | 10 μT/√Hz （DC），1 nT/√Hz （AC） |
| 測量時間 | 5-10min (type) |
一般規格
| 系統尺寸（W x L x H) | 0.7 m x 0.7 m x 1.7 m |
| 系統重量 | ~350kg |
| XYZ位移臺 | 300mm x 300 mm x 20 mm (行程） |
| 功耗 | 2 kW (max ) |
| 制冷方式 | 風冷 |
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