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FMD5101型半導體泵浦激光原理實驗儀（半導體泵浦激光實驗系統）了解半導體激光器的工作原理；激光發散角測量；激光閥值、激光斜率的測量；激光器光斑尺寸的測量；激光倍頻原理和實驗。1.氦氖激光器：
中下波長632.8nm；輸出功率：≤1mW；
2.半導體激光器：中心波長：808±10nm；
偏振態：TE；連續輸出功率：500mW；
3.紅外顯示卡：可觀察0.7-1.6μm的近紅外光；

FMD5101型半導體泵浦激光原理實驗儀產品介紹：

半導體泵浦激光原理實驗裝置實驗以808nm半導體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對象，學生通過搭建整個實驗系統，完成部分實驗，從而學習半導體泵浦激光器的調試方法，觀察倍頻現象，測量閥值，相位匹配等實驗測試方法；加深對激光原理、及光學倍頻等基本理論的理解，實現理論與實踐相結合。與同類產品相比，FMD5101半導體泵浦激光原理實驗裝置具有功能多，可以開設的實驗內容多，機械結構穩定且便于調試，學生實驗動手操作等特點。

FMD5101型半導體泵浦激光原理實驗儀實驗內容：

1.了解半導體激光器的工作原理；

2.激光發散角測量；

3.激光閥值、激光斜率的測量；

4.激光器光斑尺寸的測量；

5.激光倍頻原理和實驗。

FMD5101型半導體泵浦激光原理實驗儀指標：

1.氦氖激光器：

中下波長632.8nm；輸出功率：≤1mW；

2.半導體激光器：中心波長：808±10nm；

偏振態：TE；連續輸出功率：500mW；

3.紅外顯示卡：可觀察0.7-1.6μm的近紅外光；

4.光功率測試儀：2μW、20μW、200μW、2mW、20mW、200mW，六檔功率范圍3位半數字顯示器；

5.導軌主體：長1m，硬鋁型材；

6.Nd:YV04晶體：參Nd3+濃度：0.1-3.0atm%；平面度：<λ/10@632.8nm；鍍膜：AR@1064nm，R<0.1%，HT@808nm，T>90%

7.KTP晶體：

透過波段：0.35-4.5μm；電光系數：γ33=36Pm/V；

8.光學元件：輸出鏡（R=50mm)，濾光片；

光源架，思維調節架，二維調節架，光靶；