原裝美國Sinton BLS-I檢測儀



CT-400測量系統不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設備，具有瞬態和準穩態兩種測量模式。該設備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實現低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強偏置實現單晶缺陷密度計算。

原裝美國Sinton BLS-I檢測儀

 

CT-400測量系統不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設備，具有瞬態和準穩態兩種測量模式。該設備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實現低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強偏置實現單晶缺陷密度計算。

 BLS-I/BCT-400產品規格
壽命值測量范圍：100 ns至> 10 ms
電阻率測量范圍：0.5-300 Ohm-cm
測量（分析）模式
環境工作溫度：20°C-25°C
電源：BLS-I/BCT-400: 40 W
計算機與顯示器:200w
光源:60w
尺寸（無手柄）
BLS-I: 7.9 cm W x 16.3 cm D x 12.7 cm H
BCT-400: 6.1 cm W x 15.0 cm D x 12.7 cm H
通用電壓：100-240 VAC 50/60 Hz

 

 

 

 

BLS-I測量系統用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊 體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體 內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。

 

BLS-I測量系統用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊 體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體 內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。

 

原裝美國Sinton BLS-I檢測儀